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V-NAND de Samsung: 7ª generación V-NAND de 160 capas
Samsung Electronics se encuentra actualmente desarrollando su séptima generación de memorias V-NAND con tecnología Ultra High 3D de apilamiento de…
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Google planea diseñar nuevos SoC para Pixel y Chromebooks
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Transistores Samsung de 3nm Multi Bridge Channel FET
Samsung alcanza procesos de manufactura con silicio de 3 nanómetros para 2022 con sus transistores Multi Bridge Channel FET. Con…
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Yangtze River Storage producirá memoria flash de 128 capas en 2020
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