Samsung inicia la producción en masa de sus módulos de memoria TLC V-NAND de 1 Tb de novena generación, que le s ayudará a alcanzar nuevas cotas en espacio de almacenamiento, resistencia y velocidad.
Samsung V-NAND de 1 Tb ha comenzado su producción en masa, más capacidad, resistencia y velocidad
La novena generación de memorias V-NAND de Samsung utilizan una tecnología de triple celda (TLC), que ahora puede alcanzar un terabit (Tb) por módulo.
Samsung destaca especialmente el aumento en la densidad de bits en sus módulos V-NAND de novena generación. Se habla de un aumento del 50% por sobre la octava generación, lo que es un logro tecnológico muy importante para la compañía y para sus futuros productos, como los SSD M.2 NVMe, donde Samsung es uno de los líderes en la industria. Esto se ha logrado en base a su tecnología patentada “Channel Hole Etching”, que permite la perforación de capas de celdas en una estructura de doble pila, lo que facilitará memorias con un mayor número de capas y una fabricación más eficiente.
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Las nuevas memorias V-NAND también están reduciendo las interferencias eléctricas y extendiendo la vida útil de las celdas. En otras palabras, podemos esperar valores TBW superiores en las próximas generaciones de unidades SSD de Samsung.
En términos de velocidad, Samsung introdujo la tecnología flash Toggle 5.1 NAND, que mejora las velocidades de transferencia de datos en un 33% a 3,2 gigabits por segundo (Gbps), lo que se traducirá en velocidades de lectura y escritura
Además, se está mejorando la eficiencia energética en un 10% con respecto a generaciones anteriores.
Las memorias TLC V-NAND de 1Tb se han comenzado a fabricar en masa durante este mes de abril, pero habrá otras variantes QLC que se van a comenzar a fabricar en la segunda mitad de este año 2024. Os mantendremos informados.
