Samsung ha anunciado que se encuentra desarrollando las memorias HBM4 para su debut en el año 2025.
HBM4: Samsung anuncia sus propios módulos para 2025
Las memorias HBM4 anunciadas por Samsung van utilizar pilas de 16 Hi y un empaquetado en 3D, con la idea de dejar atrás a las actuales memorias HBM3e “Shinebolt”, que cuentan con capacidades máximas de 36 GB utilizando 24 Gb DRAM y velocidades de 9,8 Gbps.
Con HBM4, las especificaciones van a aumentar 256 GB utilizando las pilas de 16 Hi y el empaquetado 3D, en lugar de las pilas 12 Hi y el empaquetado 2.5D de las memorias HBM3e.
«Si la primera innovación para resolver el problema comenzó con la introducción del troquel base utilizando el proceso lógico a partir del HBM4 de próxima generación, la segunda innovación se producirá a medida que evolucione gradualmente del actual HBM 2,5D al 3D. «Se espera que se produzca una tercera innovación a medida que las celdas DRAM y la lógica evolucionen para volverse más mixtas, como HBM-PIM. Actualmente estamos en conversaciones con clientes y socios para realizar estas innovaciones, y planificaremos y prepararemos de manera proactiva para abrir el mercado».
Samsung Corea (traducción)
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Actualmente, AMD y Nvidia han anunciado las aceleradoras Instinct MI300 y las Blackwell B100/B200, respectivamente. Nvidia está utilizando los módulos de memoria HBM3e en este momento, mientras que la serie Instinct de AMD aun utiliza memorias HBM3, con la intención de actualizarlas a futuras con módulos de memorias HBM3e.
No se han entrado en detalles sobre las velocidades que van a alcanzar los módulos HBM4 de Samsung, pero es claro que aumentaran exponencialmente las velocidades que ofrece hoy las memorias HBM. La rapidez de este tipo de memorias será crucial para las tareas de IA y HPC. Os mantendremos informados.
