Memoria RAM: Términos esenciales para entenderla y optimizar tu ordenador

La memoria principal, o memoria RAM, es uno de los elementos esenciales de un ordenador. Gracias a ella se pueden cargar los programas para que la CPU tenga acceso a ella de forma más rápida que si tuviese que ir a buscar las instrucciones y datos a la memoria secundaria. Sin embargo, ¿sabrías explicar qué significa cada término relacionado con esta memoria? Si la respuesta es no, te invito a seguir leyendo:

Términos más importantes sobre la memoria RAM

Aquí tienes los términos ordenados alfabéticamente, a modo de diccionario sobre memoria RAM:

Ancho de banda

El ancho de banda de la memoria se refiere a la cantidad máxima de datos que se pueden transferir entre la memoria y otros componentes del sistema en un período de tiempo determinado. Se puede medir en unidades como los GB/s o los MT/s.

Bit

Un bit es la unidad básica de información en sistemas informáticos, representando un dígito binario que puede tener dos posibles valores: 0 o 1. Puede tener múltiplos como el kb o kilobit, el Mb o Megabit, el Gb o Gigabit, etc.

Buffer

Un buffer de memoria es un espacio temporal de almacenamiento utilizado para almacenar y organizar datos antes de que sean transferidos a otro componente, acelerando así los accesos.

Bus

Un bus de memoria es un conjunto de líneas de comunicación que permite la transferencia de datos entre la memoria y otros componentes del sistema, como el procesador o los dispositivos de entrada/salida.

Byte

Un byte es una unidad de medida de información que consiste en 8 bits y se utiliza para representar un carácter o un número en sistemas informáticos. Al igual que el bit, también tiene sus múltiplos como el KB, MB, GB, etc.

Canal

Un canal de memoria es una vía de comunicación de alta velocidad que permite la transferencia de datos entre la memoria y la CPU. Puede haber sistemas con un solo canal, DualChannel o dos canales, QuadChannel o cuatro canales, y OctaChannel.

Capacidad

La capacidad de memoria se refiere a la cantidad máxima de datos que se pueden almacenar en un dispositivo de memoria, y se mide en bits o bytes. Por ejemplo, una memoria RAM de 16 GB es de 16 gigabytes, que es lo mismo que 128 Gb o gigabits, es decir, 1.024.000.000.000 bits.

Codificación

Existen diferentes tipos de codificación utilizados en la memoria RAM y otros sistemas de comunicación, como NRZ, NRZI, PAM y Manchester Encoding, para representar y transmitir datos de manera eficiente y confiable, cada uno con sus características específicas.

Componentes electrónicos

Son los componentes presentes montados superficialmente en la PCB de la memoria RAM, como pueden ser condensadores y resistencia de montaje superficial, principalmente, ademas de los chips.

Contactos

Los contactos son los terminales de metal que actúan como conductores eléctricos entre el módulo RAM y el slot de la placa base donde están insertados. Permiten trasmitir datos y también alimentar el módulo.

Controladora de memoria RAM

Un controlador de memoria es un componente de hardware que gestiona y coordina el acceso a la memoria, asegurando una transferencia eficiente y confiable de datos entre el procesador y la memoria.

DDR

La memoria DDR (Double Data Rate) es un tipo de memoria que permite una transferencia de datos más rápida al enviar y recibir información en ambos flancos de la señal de reloj, duplicando la velocidad de transferencia en comparación con la memoria SDR (Single Data Rate).

En la actualidad han surgido nuevas generaciones que han ido incorporando nuevas características y mejorando el rendimiento, como la DDR2, DDR3, DDR4 o la DDR5 actual.

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DFE (Decision Feedback Equalization)

DFE (Decision Feedback Equalization) es una técnica utilizada en las memorias para mitigar los efectos de la interferencia y el ruido en las señales transmitidas, mejorando así la calidad y confiabilidad de los datos recibidos.

DIMM

Un módulo DIMM (Dual In-Line Memory Module) es un tipo de módulo de memoria utilizado los PCs de sobremesa, mientras que los portátiles y miniPCs pueden usar un factor de forma más reducido de tamaño denominado SO-DIMM (Small Outline DIMM). También existen otros tipos de factores de forma, aunque menos conocidos…

Disipador

El disipador de calor es un elemento esencial para las memorias de última generación, especialmente para las de mayor rendimiento o a las que se realiza overclocking, ya que se encarga de disipar el calor generado por los chips.

DRAM

DRAM (Dynamic Random Access Memory) es un tipo de memoria de acceso aleatorio que almacena datos de forma temporal y requiere de actualizaciones constantes para mantener la información, ofreciendo una alta densidad y menor coste en comparación con otros tipos de memoria. Puede haber variantes como la SDRAM, que es la empleada en los actuales módulos DDR.

ECC

ECC (Error Correcting Code) en memoria se refiere a una técnica de detección y corrección de errores que se utiliza para garantizar la integridad de los datos almacenados en la memoria, identificando y corrigiendo posibles errores de bits. No se suele usar para los PCs, pero sí en estaciones de trabajo, servidores y HPC.

ESD

La ESD (Electrostatic Discharge) o descarga electrostática es la transferencia repentina de carga y que puede dañar seriamente los chips de memoria. Por eso se recomienda el uso de pulseras antiestáticas.

Frecuencia de reloj o velocidad

La frecuencia de reloj o velocidad de una memoria RAM se refiere a la velocidad a la que la memoria puede recibir y transmitir datos, medida en ciclos por segundo (hercios o hz), lo que determina la velocidad de procesamiento de la memoria y su capacidad para transferir datos. Es decir, está estrechamente relacionada con la velocidad o transferencia.

Intel XMP / AMD EXPO

Intel XMP (Extreme Memory Profile) y AMD EXPO (AMD Extreme Memory Profile) son perfiles de configuración preestablecidos en la BIOS de las placas base compatibles, que permiten ajustar automáticamente la configuración de la frecuencia de reloj de la memoria RAM para obtener un rendimiento optimizado y estable, sin necesidad de realizar configuraciones manuales.

JEDEC

JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) es un organismo de estándares de la industria que establece las especificaciones y normas para los componentes de memoria, asegurando la compatibilidad y la interoperabilidad entre diferentes fabricantes.

Latencia

La latencia de memoria se refiere al tiempo que tarda la memoria en responder a una solicitud de acceso y proporcionar los datos solicitados, afectando la velocidad de lectura y escritura de la memoria y, por lo tanto, el rendimiento general del sistema.

Timming (latencias)

Dentro de la memoria RAM existen varios tiempos importantes, el denominado Timming:

• CAS Latency (CL): especifica el número de ciclos de reloj desde la solicitud hasta la disponibilidad de los datos, donde un valor menor indica una respuesta más rápida de la memoria (por ejemplo, CL 15 significa una entrega en 15 ciclos de reloj).
• RAS-to-CAS Delay (tRCD): indica los ciclos de reloj necesarios para cambiar de una fila activa a una columna activa, determinando el tiempo de acceso a datos en una ubicación específica de una fila.
• RAS Precharge Time (tRP): representa el tiempo para desactivar una fila de memoria y prepararla para futuras operaciones, liberando una fila activa.
• Active to Precharge Delay (tRAS): refiere al tiempo de espera necesario después de una operación antes de activar otra fila, estableciendo el tiempo mínimo entre acceder a filas diferentes.

Memoria registrada o Memoria RAM ECC

Una memoria registrada es un tipo de memoria que utiliza registros adicionales para mejorar la capacidad de carga y descarga de datos, y permitiendo una mayor estabilidad y escalabilidad en sistemas de memoria de alta densidad.

Módulo (rank)

Se denomina módulo o rank al conjunto del PCB, junto con los chips de memoria RAM y demás elementos necesarios para componer la memoria RAM. Debes saber que existen memorias RAM que no están en módulos, sino directamente soldadas en la placa base.

Muesca

No es más que una muesca o hueco labrado en el PCB del módulo de memoria RAM, en el lado donde se encuentran los contactos. De ese modo, solo se podrá insertar en el slot o ranura de la placa base en una posición. Una forma de respetar la polaridad sin equivocarse. Además, las distintas generaciones o tipos de memoria la tienen en diferentes posiciones, por lo que también evitará insertar módulos incompatibles.

Operaciones de la SDRAM

Las posibles operaciones de la memoria o tipos de accesos, al que hay que agregar otro al ser tipo DRAM, son:

• Lectura o read: durante la lectura, se elige una dirección para acceder a la celda de memoria deseada y se activa el transistor correspondiente para amplificar y leer el valor almacenado en el condensador de manera binaria.
• Escritura o write: durante la escritura, se selecciona una dirección para acceder a la celda de memoria objetivo y se carga el valor binario deseado en el condensador de la celda. El transistor también se activa para permitir la carga o descarga del condensador según sea necesario.
• Refresco o refresh: las celdas de memoria SDRAM requieren un proceso de refresco regular para mantener la integridad de los datos almacenados. Esto implica leer y luego reescribir los datos en cada celda de memoria para mantener su carga eléctrica. El proceso de refresco se realiza en segundo plano y es esencial para evitar la pérdida gradual de datos.

Organización

Las configuraciones de los módulos de memoria RAM pueden ser variados, según los intereses del fabricante y capacidad que se necesite obtener. Algunos ejemplos cotidianos son:

• 64Mx4: en esta notación, «64M» indica la capacidad total de la memoria en megabits, y «4» representa la cantidad de bits de datos almacenados por celda de memoria. Por lo tanto, un módulo de memoria 64Mx4 tiene una capacidad total de 64 megabits y cada celda de memoria guarda 4 bits de datos.
• 128Mx4: de manera similar al ejemplo anterior, un módulo de memoria 128Mx4 posee una capacidad total de 128 megabits, y cada celda de memoria almacena 4 bits de datos.
• 1Rx8: en esta notación, «1R» denota una única fila de chips de memoria, mientras que «8» indica la cantidad de bits de datos almacenados por celda de memoria. Por ende, un módulo de memoria 1Rx8 consta de una fila de chips de memoria, y cada celda de memoria guarda 8 bits de datos.
• 1Rx16: similar al ejemplo anterior, un módulo de memoria 1Rx16 también posee una fila de chips de memoria, pero cada celda de memoria almacena 16 bits de datos.

Overclocking en la Memoria RAM

El overclocking de memoria RAM se refiere al proceso de aumentar manualmente la frecuencia o velocidad de funcionamiento de la memoria RAM más allá de las especificaciones predeterminadas del fabricante, con el fin de obtener un rendimiento superior en términos de velocidad de transferencia de datos y capacidad de respuesta del sistema.

PCB

Una PCB o placa de circuito impreso es un sustrato rígido o flexible que contiene conexiones eléctricas y componentes electrónicos.

PMIC

Los módulos DDR5 incluyen PMIC (Power Management Integrated Circuit) que regulan la energía para los componentes del módulo, mejorando la distribución de energía, la integridad de la señal y reduciendo el ruido en comparación con generaciones anteriores. El PMIC utiliza 12V para módulos de clase servidor y 5V para módulos de clase PC o cliente.

Prefetch

La técnica de prefetching o precarga se emplea en la memoria RAM para optimizar el acceso a los datos, anticipando las solicitudes y cargándolos en la memoria caché de la CPU de forma previa a su utilización, con el objetivo de acelerar el proceso de acceso y mejorar la eficiencia del sistema.

RAM

La RAM (Random Access Memory) es un tipo de memoria de computadora que permite el almacenamiento y acceso rápido de datos de forma temporal durante la ejecución de programas y operaciones.

RCD (Register Clock Driver)

RCD (Register Clock Driver) es un componente presente en la memoria RAM que se encarga de distribuir y sincronizar la señal de reloj a los registros internos de la memoria, asegurando un funcionamiento adecuado y coordinado de las operaciones de lectura y escritura.

RGB en la memoria RAM ¿Es necesaria?

Es simplemente la iluminación LED RGB (Red Green Blue) que tienen algunos módulos de RAM para generar diferentes iluminaciones a nivel estético.

SPD (Serial Presence Detect)

SPD (Serial Presence Detect) proporciona información relevante sobre las especificaciones y configuraciones del módulo de memoria al sistema. Utilizando un chip EEPROM integrado en el módulo, almacenando datos como la capacidad, velocidad, voltaje y configuración de temporización o timming, permitiendo que el sistema operativo y el BIOS/UEFI del ordenador reconozcan y configuren automáticamente el módulo de memoria.

Voltaje en la memoria RAM

El voltaje en una memoria RAM se refiere a la cantidad de energía eléctrica necesaria para el correcto funcionamiento. Según el tipo de RAM y la generación puede variar.

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