Mientras los focos apuntan al DDR5, Micron fabrica en masa memoria DDR4 de 1znm. De esta manera, es más fácil crear un módulo con 16 GB.
Todos están poniendo la maquinaria en marcha para el paso a la memoria DDR5. Por el contrario, Micron se quiere centrar en fabricar memoria con un proceso mucho más eficiente. En teoría, la memoria DDR5 se empezará a producir en 2021 y aterrizaría en 2022. Como faltan 2 años para que esto se dé, Micron quiere mejorar lo actual con su memoria DDR4 de 1znm. A continuación, os contamos todo.
Micron fabrica memoria DDR4 de 1znm
La memoria DDR4 que empieza a fabricar Micron es de 1znm, cuyo equivalente es un proceso de 12-14nm. Esto se traduce en poder crear módulos con mayor capacidad de memoria. Entrados en un nodo menor de 20nm, la litografía se sustituye por 1x, 1y o 1z. El proceso 1xnm equivale a un 16-19nm; el 1ynm se equipara a 14-16nm y el 1znm supone un 12-14nm.
Micron tiene creada su hoja de ruta en la que habrá: 1αnm, 1βnm, 1znm y 1γnm. Por tanto, hay 6 procesos de fabricación de nivel 10nm, lo que supondría una 3ª generación de memoria RAM DDR4. El punto fuerte de Micron es el proceso 1ynm. Este año el proceso 1znm se convertirá en su plato fuerte, dentro de la producción en masa.
¿Para qué mejorar más el proceso de fabricación? Básicamente, para fabricar memorias RAM con más capacidad. Entrados en un proceso de 1znm, se pueden fabricar módulos de 16 GB fácilmente. Esto haría posible la estandarización de los módulos de 16 GB, configurando equipos con 32 GB dual-channel.
Esta mejora del proceso 1znm liderada por Micron no quedará en valde porque se utilizará en el futuro con memoria DDR5.
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