Las nuevas memorias ‘DRAM+’, capaces de retener datos sin energía, como las memorias NAND, van a volver a entrar en producción en Alemania.
DRAM+: Comienza la producción de los módulos DRAM no volátiles
Las compañías Ferroelectric Memory Co. (FMC) ha unido fuerzas con Neumonda para restablecer la producción de la denominada DRAM+ en Alemania. Estas memorias suponen una revolución en el terreno de las memorias RAM, ya que son memorias no-volátiles, por lo que son capaces de retener datos sin energía eléctrica.
Haciendo uso de la tecnología FeRAM, las denominadas memorias DRAM+ están utilizando óxido de hafnio ferroeléctrico (HfO₂) para crear memorias que retiene datos sin necesidad de energía, una invención de la compañía Ferroelectric Memory Co. (FMC)., que ahora colabora con Neumonda para comenzar a producirlas, luego de que las compañías Infineon y Qimonda abandonaran el desarrollo y producción en Alemania por considerarlo poco rentable.
Al parecer, estos nuevos módulos de memoria estarían destinadas a aplicaciones específicas, como por ejemplo: inteligencia artificial, la automoción, el consumo, la industria y la medicina.
Las tecnologías FeRAM parece haber mejorado sus técnicas para permitir una mayor capacidad en comparación con sus comienzos. Anteriormente se utilizaban zirconato titanato de plomo, o PZT, como capa ferroeléctrica, pero esta ofrecía una capacidad muy limitada, por lo que no era tan atractiva. Por ejemplo, podían ver capacidades de 4 u 8 MB, que es una cantidad irrisoria hoy en día.
Con el cambio hacia los materiales como el óxido de hafnio, la transición es radical. El HfO₂ es compatible con CMOS, escala muy por debajo de los 10 nm y puede integrarse con los procesos de fabricación de semiconductores existentes. Esto hace que estas memorias escalen su capacidad a las capacidades de que podemos ver hoy con las memorias DRAM tradicionales.
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“FMC se fundó para aprovechar la innovadora invención del efecto ferroeléctrico del HfO₂ para memorias de semiconductores. Aplicado a una DRAM, convierte el condensador de la DRAM en un dispositivo de almacenamiento no volátil de bajo consumo, manteniendo al mismo tiempo su alto rendimiento para producir una memoria DRAM no volátil disruptiva, ideal para la computación de IA.”
“Dado que nuestra tecnología es única en el mercado, la rentabilidad de las pruebas de nuestros productos de memoria es fundamental para nuestra oferta. Con Neumonda y su enfoque radicalmente innovador para las pruebas, hemos encontrado un socio que puede ayudarnos a acelerar el desarrollo de nuestros productos. Nos entusiasma trabajar con Neumonda, ya que compartimos la visión común de traer la memoria de vuelta a Europa.”
— Thomas Rueckes, director ejecutivo de FMC—.
