SK Hynix está actualmente desarrollando sus memorias HBM4, pero un cambio de última hora pretende mejorar todo este proceso con la implementación de un nodo de 3 nm.
Las próximas memorias de alta velocidad HBM4 serán cruciales en su implementación en las aceleradoras de IA y HPC de próxima generación, por eso los grandes fabricantes como SK Hynix están esforzándose en ofrecer los mejores módulos para que cuenten con la mayor velocidad, estabilidad y un menor consumo eléctrico.
El plan inicial era comenzar a fabricar en masa las memorias HBM4 con un nodo de 5 nm, pero ahora con un nodo de 3 nm se mejoraría el rendimiento entre un 20 y un 30%. Al parecer, SK Hynix va a dividir las memorias HBM que se van a utilizar para las aceleradoras de IA de Nvidia y aquellos módulos de memoria que se van a utilizar para el propósito general, estos últimos utilizando un nodo de 12 nm.
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Hay que tener en cuenta que Samsung también está fabricando sus propias memorias HBM4, pero estas memorias funcionan con un nodo de 4 nm, por lo que SK Hynix tendría una ventaja tecnológica aquí que podría llegar a ser crucial de cara al futuro.
A día de hoy, SK Hynix está liderando ampliamente el mercado de memorias HBM con una cuota de participación de casi el 50%, la mayoría de ellos que son los utilizados por Nvidia para sus aceleradoras de inteligencia artificial.
El año próximo será muy divertido, con nuevas aceleradoras de Nvidia y también de AMD. Os mantendremos al tanto de todas las novedades.
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