Samsung está dispuesta a aumentar las capacidades de memoria de video GDDR7 con unos novedosos módulos de 24 Gb y velocidades superiores a las anunciadas hasta ahora.
La compañía coreana ya se encuentra desarrollando unas memorias GDDR7 con 24 Gb de capacidad, lo que va a elevar la capacidad de las tarjetas gráficas de próxima generación, además de aumentar las velocidades y ancho de banda, ya que se estima unas velocidades que pueden alcanzar los 42,5 Gbps.
«Después de desarrollar la primera GDDR7 de 16 Gb de la industria el año pasado, Samsung ha reforzado su liderazgo tecnológico en el mercado de DRAM para gráficos con este último logro», dijo YongCheol Bae, vicepresidente ejecutivo de planificación de productos de memoria en Samsung Electronics.
Seguiremos liderando el mercado de DRAM para gráficos al ofrecer productos de próxima generación que se alineen con las crecientes necesidades del mercado de IA.
La GDDR7 de 24 Gb utiliza DRAM de clase 10 nanómetros (nm) de quinta generación, que permite que la densidad de celdas aumente en un 50% mientras se mantiene el mismo tamaño de paquete que su predecesor».
vía Samsung
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La primera oleada de memorias GDDR7 vienen con velocidades de entre 28 y 32 Gbps, pero Samsung está elevando esas velocidades con una segunda oleada de memorias que superaran los 40 Gbps.
En términos de capacidades, los módulos DRAM de 24 Gb tendrán acceso a 3 GB de capacidad de memoria, cuando los DRAM de 16 Gb tienen acceso a capacidades de 2 GB por módulo. Esto permitirá configuraciones de capacidad y bus bastante diversos. Por ejemplo, con un bus de 128 bits podríamos ver tarjetas gráficas de hasta 12 GB de VRAM o de 24 GB de VRAM con un bus de 256 bits. Unas capacidades de 36 GB también serían posibles con un bus de 384 bits.
Otra de as novedades que veremos en los módulos GDDR7 es el soporte de PAM3. Se espera que estas memorias debuten con la serie RTX 50 de Nvidia en 2025. Os mantendremos al tanto de todas las novedades.
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