Discos duros y SSD

Samsung V-NAND QLC de novena generación comienza su producción en masa

Samsung ha anunciado el comienzo de la producción en masa de las memorias V-NAND QLC de novena generación.

Samsung V-NAND QLC de 9ª generación comienza su producción en masa

Una nueva generación de módulos de memoria V-NAND de novena generación van a entrar en acción próximamente, dando vida a nuevas unidades SSD de mayor capacidad, mayores valores de resistencia y velocidades, etc.

Samsung ha comenzado a producir memorias V-NAND TLC de novena generación desde hace un tiempo, y ahora le está tocando el turno las memorias V-NAND, pero del tipo QLC. Gracias a estos módulos de memoria, será posible ofrecer una mayor capacidad de almacenamiento y rendimiento, al mismo tiempo que seguirá siendo energéticamente eficiente, ideal para las cargas de trabajo de IA.

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El vicepresidente ejecutivo y director de productos y tecnología Flash, SungHoi Hur, afirmó:

“El lanzamiento de la exitosa producción en masa de la V-NAND de novena generación de QLC solo cuatro meses después de la versión TLC nos permite ofrecer una línea completa de soluciones SSD avanzadas que abordan las necesidades de la era de la IA.”

Para lograr aumentar la cantidad de capas, Samsung utilizó la tecnología “Channel Hole Etching”. La compañía enumero algunas de las mejoras previstas por sus nuevos módulos V-NAND de novena generación:

La tecnología Channel Hole Etching de Samsung se utilizó para lograr el mayor número de capas de la industria con una estructura de doble pila.
Las memorias V-NAND QLC cuenta con una densidad un 86 % mayor que la generación anterior.
La adopción de Designed Mold mejoró el rendimiento de retención de datos en aproximadamente un 20 % en comparación con las versiones anteriores, lo que generó una mayor confiabilidad del producto.
La V-NAND QLC de novena generación de Samsung ha duplicado el rendimiento de escritura y ha mejorado la velocidad de entrada/salida de datos en un 60 % gracias a los avances en esta tecnología.
El consumo de energía de lectura y escritura de datos disminuyó aproximadamente un 30 % y un 50 %, respectivamente, con el uso de la tecnología de diseño de bajo consumo.

Próximamente tendremos novedades de nuevos productos de almacenamiento (UFS, PC y SSD para servidores) de Samsung, con capacidades superiores, más rendimiento y mayor durabilidad. Os mantendremos informados.