3D X-AI es una nueva memoria DRAM que tiene la intención de ser el sucesor para las actuales memorias HBM.
El nombre de 3D X-AI ya es toda una declaración de intenciones por parte del fabricante NEO Semiconductor, que pretende reemplazar las memorias ultra-rápidas HBM por las memorias “3D” aún más rápidas que tendrán el objetivo de eliminar por completo los cuellos de botella, sobretodo pensando en la inteligencia artificial.
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«Los chips de IA actuales desperdician cantidades significativas de rendimiento y energía debido a ineficiencias arquitectónicas y tecnológicas», dijo Andy Hsu, fundador y director ejecutivo de NEO Semiconductor. «La arquitectura actual de chips de IA almacena datos en HBM y depende de una GPU para realizar todos los cálculos. Esta arquitectura separada de almacenamiento y procesamiento de datos hace que el bus de datos sea un cuello de botella de rendimiento inevitable. Transferir enormes cantidades de datos a través del bus de datos causa un rendimiento limitado y un consumo de energía muy alto. 3D X-AI puede realizar el procesamiento de IA en cada chip HBM. Esto puede reducir drásticamente los datos transferidos entre HBM y la GPU para mejorar el rendimiento y reducir drásticamente el consumo de energía».
La capacidad de estas memorias 3D serán de hasta 128 GB por módulo con una capa de circuito neuronal de hasta 8000 neuronas, que estará optimizada para tareas de inteligencia artificial. La idea es que estas memorias sean capaces de soportar hasta 10 TB/s de procesamiento de IA por chip, por lo que con cada modulo se multiplicaría la capacidad de procesamiento. NEO
Pueden ver más información en la página oficial de NEO. De momento, no se ha comentado cuando lo veríamos en acción. Os mantendremos informados.
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