Micron anuncia los módulos de memoria NAND de novena generación

Micron está iniciando la producción en masa de sus módulos de memoria NAND de novena generación (G9).

Micron anuncia sus memorias NAND G9 con hasta 50% más de rendimiento

Micron avanza en el mercado de memorias NAND flash, utilizado ampliamente para unidades de estado sólido (SSD), tarjetas de memorias y todo tipo de almacenamiento. Estas nuevas memorias prometen la “velocidad de transferencia más alta de la industria”, según las palabras de Micron. Con velocidades de 3,6 GB/s, se dice que la nueva NAND de Micron ofrece un “ancho de banda insuperable para leer y escribir datos”.

En comparación con “la NAND que se distribuye actualmente en un SSD”, Micron afirma ofrecer velocidades de transferencia de datos “un 50 % más rápidas”. Además, el fabricante afirma que estos nuevos módulos van a ofrecer hasta un 99% más de ancho de banda de escritura y hasta un 88% más de ancho de banda de lectura por chip.

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Estos nuevos módulos están debutando con las unidades SSD de clase empresarial SSD 2650, que utiliza una interfaz PCIe 4.0. En comparación con otros SSD PCIe 4.0, Micron afirma que las cifras de rendimiento con PCMark 10 están por encima de la competencia, según las diapositivas que estamos viendo.

Con la llegada de las unidades PCIe 5.0 al mercado, estos nuevos módulos NAND de novena generación de Micron permitirán unos SSD con velocidades más altas, con la idea de aprovechar al máximo el ancho de banda que ofrece una interfaz PCIe 5.0.

De momento, desconocemos cuándo se van a lanzar los primeros SSD comerciales con estos nuevos módulos de memoria. Os mantendremos al tanto de todas las novedades.