Samsung sigue innovando en el terreno de las memorias, presentando el empaquetado 3D para las memorias HBM4 en 2025.
Para lograr sus primeras memorias con empaquetado 3D para HBM4, Samsung hará uso de su tecnología 3D SAINT, qué es la abreviatura de Samsung Advanced Interconnect Technology. La compañía coreana promete revolucionar el empaquetado de chips gracias a esta tecnología ofreciendo un mayor rendimiento y eficiencia reduciendo la distancia entre chiplets. Además, es más “ecológico” al reducir la huella de carbono. Esto será una mejora notable por sobre el actual método 2.5D utilizado por la compañía hasta ahora.
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La tecnología de empaquetado 3D SAINT será espera que comience a utilizarse en 2025, mientras que las memorias HBM4 deberían ese año o en 2026.
Las memorias HBM4 van a ofrecer un ancho de banda de hasta 2 TB/s, que será crucial para el hardware d inteligencia artificial, como las próximas aceleradoras de IA de Nvidia y AMD que llegarán en los próximos años. La inteligencia artificial se beneficia enormemente de la capacidad de memoria y el ancho de banda, así que el salto de HBM3/E a HBM4 será muy necesario para seguir impulsando la era de la inteligencia artificial.
Samsung solo es uno de los protagonistas que van a fabricar memorias HBM4, también hay otros actores como Sk Hynix o Micron, etc. Os mantendremos al tanto de todas las novedades.
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