Samsung revela los planes para desarrollar las memorias 3D DRAM de 16 capas, ademas de las memorias VCT DRAM, que será un tipo de memoria compacta que permitirá unas capacidades mucho mayores.
3D DRAM: Samsung trabaja en memorias RAM 3D de 16 capas
Aunque todavía faltan algunos años para poder ver estas memorias en acción, Samsung quiere acelerar su desarrollo, con la implementación VCT DRAM (transistor de canal vertical) como el primer paso hacia esa dirección, que se comercializaría a partir del próximo año 2025, mientras que las memorias 3D DRAM estarían listos para el año 2030.
«Los desarrollos industriales como la IA hiperescaladora y la IA bajo demanda requieren mucha capacidad de procesamiento de memoria. Por otro lado, la tecnología de microprocesamiento de la DRAM existente es limitada», afirmó Lee. Pero en los próximos años, Lee predice que «se espera que se produzcan nuevas innovaciones en la estructura de las células».
Recientemente, Samsung hablo sobre tres tipos de módulos de memoria 4F Square VCT DRAM y 3D DRAM. El 4F Square mereció unas palabras por parte de la compañía.
«Muchas empresas están haciendo esfuerzos para realizar la transición a 4F Square VCT DRAM», afirmó el vicepresidente Lee. «Sin embargo, para que esto suceda, debe tener prioridad el desarrollo de nuevos materiales, como materiales de canales de óxido y ferroeléctricos». El proceso 4F Square de Samsung se lanzará internamente en 2025, como se anunció en IMW 2024.
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El diseño de esta nueva memoria permitiría la reducción del tamaño de las celdas en un 30%, lo que se traduce en más capacidad gracias al apilamiento vertical de las celdas. Sin embargo, esto tendría una contra, que es que requeriría más energía para funcionar, además de una complejidad mayor en la fabricación.
De alguna manera, el futuro de las memorias DRAM seguirá el mismo que el de las memorias 3D NAND utilizadas en los SSD, que utilizan múltiples capas para aumentar las capacidades de almacenamiento. Os mantendremos informados.
