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Samsung HBM3E 12-Hi, 128 GB DDR5 y V-NAND de 9a Gen entran en producción

La producción en masa de los módulos de memoria Samsung HBM3E 12-Hi comienza en este segundo trimestre, así como otras de sus tecnologías, como sus memorias de 128 GB DDR5, módulos V-NAND de novena generación, etc.

Samsung HBM3E 12-Hi entra en producción en este trimestre

HBM3E

Samsung da información sobre lo que está por venir en el terreno de los módulos de memorias DRAM y NAND Flash. Han confirmado que sus memorias HBM3E con 12-Hi van a comenzar su fabricación en masa durante este trimestre, así como han confirmados que sus memorias NAND Flash V-NAND de novena generación también se comenzará a fabricar en masa durante el mismo trimestre. Estas memorias V-NAND para sus próximos SSD estarán basados en la tecnología QLC (Quad Level Cell).

Las memorias RAM DDR5 de 128 GB también se van a comenzar a fabricar durante este trimestre, por lo que se viene una gran renovación de productos durante este año y el 2025, utilizando sus nuevas tecnologías.

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 “Samsung Electronics comenzó la producción en masa del HBM3E de 8 capas en abril para responder a la demanda de IA generativa y planea producir en masa productos de 12 capas en el segundo trimestre.

Además, planeamos fortalecer nuestro liderazgo en el mercado de servidores mediante la producción en masa y el envío a clientes de productos de 128 GB (gigabytes) basados en DDR5 de 1b nano 32 Gb (gigabit) en el segundo trimestre.

NAND planea responder de manera oportuna a la demanda de IA mediante el desarrollo de un SSD de 64 TB de capacidad ultra-alta y proporcionando muestras en el segundo trimestre, y también mejorar su liderazgo tecnológico al iniciar la producción en masa de V9 por primera vez en la industria.”

Samsung (comunicado traducido al español)

V-NAND

La compañía está confirmando la llegada de unidades SSD de hasta 64 TB que estaría centrado en el mercado de servidores. Mientras tanto, las memorias HBM3E de 12-Hi serán capaces de ofrecer hasta 32 GB de capacidad por pila, para ofrecer 288 GB en un chip de 8 módulos como el MI300X de AMD. Samsung será el principal proveedor de estas memorias HBM3E para AMD. Os mantendremos al tanto de todas las novedades.

Fuente
wccftech

Gustavo Gamarra

Soy operador de PC e instalador de redes informáticas , redactor y escritor en mis ratos libres. Amante de la tecnología, el cine, el fútbol y los videojuegos.
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