El fabricante SK Hynix está confirmando que el desarrollo de memoria HBM4 va a comenzar durante el transcurso del año 2024.
Las memorias de alto ancho de banda HBM4 ayudarán a impulsar los próximos centros de datos y equipos preparados para acelerar la inteligencia artificial. Este tipo de memorias reemplazaran a los actuales módulos HBM3 y HBM3e, mejorando el ancho de banda.
La ventaja competitiva continuará el próximo año. El líder del equipo GSM, Kim Wang-soo, dijo: «Con la producción y venta en masa de HBM3E previstas para el próximo año, nuestro dominio del mercado se maximizará una vez más». Y añadió: “Como también está previsto que comience en serio el desarrollo de HBM4, el producto siguiente, HBM de SK Hynix entrará en una nueva fase el próximo año. “Será un año en el que celebraremos”, dijo.
A través de SK Hynix
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Tanto Micron como Samsung han anunciado que están desarrollando memorias HBM4, por lo que SK Hynix era el tercer protagonista que faltaba por desarrollar estas memorias, que serán clave para centros de datos y productos para acelerar la inteligencia artificial de los próximos años. Sin embargo, Micron y Samsung aseguraron que el lanzamiento de esta memoria estaría previsto para los años 2025 y 2026, por lo que SK Hynix se estaría adelantando a ese calendario.
Las memorias HBM4 tienen la capacidad de contener 36 GB por pila, por lo que es posible una capacidad de 288 GB de memoria o más con un ancho de banda de 9.8 Gbps o más. Os mantendremos al tanto de las novedades.
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