Qualcomm va a presentar el Snapdragon 8 Gen 3 bien pronto, y de momento sabemos que lo denominan «El titán de la inteligencia en dispositivo» y que se ha juntado con SK Hynix para la memoria LPDDR5T.
Una unión de tecnología de varios países, así se plantea el Snapdragon 8 Gen 3, un SoC que busca potenciar los mejores smartphones Android del mercado. Como protagonistas principales tenemos a Taiwán (TSMC), Corea del Sur (SK hynix) y Estados Unidos (Qualcomm), por lo que vamos a ver un chip que va a dar que hablar.
El usuario MSPowerUser ha filtrado la diapositiva principal del Snapdragon 8 Gen 3 para smartphones, un SoC que va a contar con Ray Tracing, soporte Unreal Engine 5, NPU y una integración IA TOP. Se desvelan las especificaciones del Snapdragon 8 Gen 3, que son las siguientes:
| Especificaciones | Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3 |
| Proceso de fabricación | 4 nm, TSMC |
| CPU | Qualcomm Kryo Hasta 3.3 GHz
|
| GPU | Qualcomm Adreno preparada para 240 Hz, Ray Tracing, Unreal Engine 5 y Snapdragon Same Super Resolution con Q-SYNC |
| NPU | Qualcomm Hexagon |
| Memoria RAM, interfaz | LPDDR5T |
| Módem | 5G y aceleración IA por hardware |
| Conectividad | Qualcomm FastConnect 7800 con Wi-Fi 7, Wi-Fi 6E y Bluetooth 5.4 |
Las novedades aquí están en las mejoras de la NPU, con un 40% de eficiencia respecto al Gen 2; el aumento de frecuencia de 100 MHz sobre la CPU Kryo, añadiéndose un núcleo extra en «rendimiento; en definitiva, un chip un 30% más rápido y 20% más eficiente que el predecesor.
Hasta ahora todo lo que veíamos era LPDDR5X, pero los coreanos han lanzado una versión que actualiza el 5X y que es un medio camino entre el LPDDR5X y LPDDR6. Los datos son que ofrece una velocidad de procesamiento de datos de 77 GB/s y un voltaje más bajo que 1.01-1.12V.
En la fabricación de estos módulos DRAM, Hynix ha usado el proceso HKMG (High-K Metal Gate) que supuestamente permite mejorar la velocidad y la eficiencia. Este sería el último broche de oro de LPDDR5 para dar el salto definitivo a LPDDR6, que será todo un lujo.
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