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Snapdragon 8 Gen 3: se filtra el junte SK Hynix y Qualcomm, ¿el mejor SoC para móvil?

Filtración

Qualcomm va a presentar el Snapdragon 8 Gen 3 bien pronto, y de momento sabemos que lo denominan «El titán de la inteligencia en dispositivo» y que se ha juntado con SK Hynix para la memoria LPDDR5T.

Una unión de tecnología de varios países, así se plantea el Snapdragon 8 Gen 3, un SoC que busca potenciar los mejores smartphones Android del mercado. Como protagonistas principales tenemos a Taiwán (TSMC), Corea del Sur (SK hynix) y Estados Unidos (Qualcomm), por lo que vamos a ver un chip que va a dar que hablar.

Snapdragon 8 Gen 3: especificaciones filtradas

Snapdragon 8 Gen 3

El usuario MSPowerUser ha filtrado la diapositiva principal del Snapdragon 8 Gen 3 para smartphones, un SoC que va a contar con Ray Tracing, soporte Unreal Engine 5, NPU y una integración IA TOP. Se desvelan las especificaciones del Snapdragon 8 Gen 3, que son las siguientes:

Especificaciones

Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3

Proceso de fabricación

4 nm, TSMC

CPU

Qualcomm Kryo

Hasta 3.3 GHz

 

GPU

Qualcomm Adreno preparada para 240 Hz, Ray Tracing, Unreal Engine 5 y Snapdragon Same Super Resolution con Q-SYNC

NPU

Qualcomm Hexagon
Memoria RAM, interfaz

LPDDR5T

Módem

5G y aceleración IA por hardware
Conectividad

Qualcomm FastConnect 7800 con Wi-Fi 7, Wi-Fi 6E y Bluetooth 5.4

Las novedades aquí están en las mejoras de la NPU, con un 40% de eficiencia respecto al Gen 2; el aumento de frecuencia de 100 MHz sobre la CPU Kryo, añadiéndose un núcleo extra en «rendimiento; en definitiva, un chip un 30% más rápido y 20% más eficiente que el predecesor.

SK hynix anuncia RAM LPDDR5T para el Snapdragon 8 Gen 3

Snapdragon 8 Gen 3 sk hynix

Hasta ahora todo lo que veíamos era LPDDR5X, pero los coreanos han lanzado una versión que actualiza el 5X y que es un medio camino entre el LPDDR5X y LPDDR6. Los datos son que ofrece una velocidad de procesamiento de datos de 77 GB/s y un voltaje más bajo que 1.01-1.12V.

En la fabricación de estos módulos DRAM, Hynix ha usado el  proceso HKMG (High-K Metal Gate) que supuestamente permite mejorar la velocidad y la eficiencia. Este sería el último broche de oro de LPDDR5 para dar el salto definitivo a LPDDR6, que será todo un lujo.

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Fuente
VideoCardzwccftech

Ángel Aller

Graduado en Derecho y exabogado con Máster de Comercio internacional. Amante de la tecnología y geek inconformista. Leal a Alt+F4 como estilo de vida.
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