Samsung anuncia que sus módulos de memoria V-NAND de más de 300 capas van a estar listas para el año 2024.
V-NAND: Samsung anuncia sus memorias de 300 capas para 2024
Las memorias V-NAND de Samsung son ya un clásico dentro de sus dispositivos, y el fabricante va mejorando su tecnología de memoria de almacenamiento para aumentar la cantidad de capas, aumentar la densidad de datos y tambien mejorar las velocidades de lectura y escritura.
«La novena generación de memorias V-NAND ya está en marcha para su producción en masa a principios del año que viene, con el mayor número de capas del sector basado en una estructura de doble pila», escribió en un blog Jung-Bae Lee, Presidente y Director del Negocio de Memoria de Samsung Electronics.
La tecnología de doble apilamiento de Samsung en sus módulos de memoria V-NAND se introdujo en el año 2020 y el fabricante seguirá utilizándolo en la novena generación. Este tipo de memoria va a competir con las anunciadas memorias 3D NAND de 321 capas, que tambien llegaran en el año 2024.
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Una mayor cantidad de capas va a permitir unidades con una mayor capacidad de almacenamiento, así como un mayor rendimiento.
«Samsung también está trabajando en la próxima generación de tecnologías de creación de valor, incluida una nueva estructura que maximiza la velocidad de entrada/salida (E/S) de la V-NAND», afirma Jung-Bae Lee.
Es de prever que estos módulos de memoria V-NAND de novena generación de vida al sucesor del Samsung 990 Pro, por ejemplo, que es uno de los SSD PCIe 4.0 más populares. En este caso, se daría el salto hacia PCIe 5.0, que aportará unas velocidades de lectura y escritura mucho mayores que las que estamos viendo dentro del catálogo del fabricante para el mercado de consumo. Os mantendremos al tanto de todas las novedades.
