Samsung se encuentra trabajando en las memorias de nueva generación HBM4, que debutarían en el mercado durante el año 2025.
HBM4 está anunciado para el año 2025, mejorando el rendimiento de la IA
El uso de las memorias del tipo HBM serán cruciales para el aumento de rendimiento en aquellas aceleradoras para la IA y todo tipo de tareas de HPC, como los productos Instinct de AMD o los las GPU H100 de Nvidia.
La próxima generación de memorias HBM4 traerá consigo un notable aumento del ancho de banda, crucial para tareas muy demandantes para centros de datos. Un informe apunta a que estas memorias van a ofrecer una interfaz de memoria de 2048 bits para el año 2025, lo que está duplicando la interfaz de memoria actual con 1024 bits.
‘’Más adelante, Samsung fabricó en serie HBM2E y HBM3, y ha desarrollado HBM3E a 9,8 gigabits por segundo (Gbps), que pronto empezaremos a ofrecer a los clientes en nuestro afán por enriquecer el ecosistema HPC/IA. De cara al futuro, se espera que la HBM4 se introduzca en 2025 con tecnologías optimizadas para altas propiedades térmicas en desarrollo, como el ensamblaje de película no conductora (NCF – non-conductive film) y la unión híbrida de cobre (HCB – hybrid copper bonding).’’
– Sang Joon Hwang, vicepresidente ejecutivo de productos y tecnología DRAM de Samsung
Te recomendamos nuestra guía sobre las mejores memorias RAM del mercado
Actualmente, Samsung está ultimando los detalles para suministrar las memorias HBM3E con velocidades de 9.8 Gbps, la que será la memoria HBM más rápida del mercado hasta que lleguen las susodichas memorias HBM4 anunciadas aquí.
De momento, tenemos pocos más detalles sobre HBM4 más allá de la confirmación de los 2048 bits, una cifra espectacular, pero necesitamos mas especificaciones para comprobar el real avance en este tipo de memorias superrapidas. Os mantendremos al tanto de todas las novedades.
