Samsung está en condiciones de producir sus primeras memorias V-NAND con 300 capas o más, que estarían planeadas para el año 2024.
Hace poco, hablamos sobre SK Hynix y el anuncio de sus nuevos módulos de memoria de 321 capas del tipo TLC, aunque estos módulos no estarían listos hasta el año 2025. De ser cierta esta información, proveniente de Corea del Sur, Samsung se estaría adelantando a SK Hynix en esta carrera para superar las memorias NAND Flash de 300 capas.
Una mayor cantidad de capas va a permitir unidades de almacenamiento en estado sólido con mucha mayor capacidad, de ahí su importancia en todos los ámbitos, no solo para las futuras unidades SSD.
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La gran diferencia que habría entre las memorias de 321 capas de SK Hynix y las futuras V-NAND de Samsung tendría que ver con la cantidad de caps utilizadas por pilas. Mientras que SK Hynix está apilando tres pilas de memorias de 107 capas cada una (321 capas), Samsung solo utilizaría dos pilas de unas 150 capas cada una aproximadamente. Esto sería más riesgoso, ya que una mayor cantidad de capas por pila suele generar más problemas, por lo que Samsung podría haber encontrado la forma de hacerlo sin grandes riesgos.
La hoja de ruta de Samsung está pronosticando que el fabricante está en condiciones de fabricar módulos de 1.000 capas para el año 2030, por lo que sería posible ver unidades de hasta 1000 TB dentro de 7 años. Os mantendremos al tanto de todas las novedades.
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