SK hynix crea un chip de memoria HBM3E con un ancho de banda de hasta 8 Gbps

SK Hynix ha creado un chip de memoria de alto ancho de banda, concretamente se trata de un chip con tecnología HBM3E y que puede llegar a transferencias con un ancho de hasta 8 Gbps, lo que es un importante avance para aplicaciones como HPC o para GPUs.

SK Hynix y su nodo 1bnm

SK Hynix ya ha anunciado que su tecnología de proceso 1bnm está lista para producir en masa los primeros chips de memorias DDR5 y HBM3E. Para el que no lo conozca aún, este raro nodo no se refiere a que es un nanómetro, ya que la memoria aún no ha llegado hasta estos márgenes como los SoCs y chips más avanzados.

1bnm se refiere a un nodo que usa litografía de 10 nm, pero es la 5ª Gen de esta. Es decir, el sucesor de la 4ª Generación del proceso de 10nm conocido por SK Hynix como 1anm.

Producción DDR5 y HBM3E

La empresa ha anunciado que la plataforma Intel Xeon Scalable podrá admitir memorias DDR5 basadas en el nodo de proceso de 5ª generación de 10 nm (1bnm). Gracias a esta nueva tecnología se conseguirán importantes mejoras en el rendimiento de estos chips, y se podrá transmitir datos a 6,4 Gbps, lo que representa una mejora del 33 % en comparación con los primeros desarrollos de DDR5.

Por supuesto, la mejora del proceso hace que la memoria DDR5 de 1bnm consume un 20% menos de energía que el nodo de 1anm. Esto se debe al proceso de fabricación de High-K, que utiliza un material de alta constante dieléctrica para evitar fugas de corriente y mejorar la capacitancia.

Otro aspecto relevante es la confirmación de que los nodos 1bnm también serán utilizados por HBM3E (HBM3 Extended). SK hynix ha confirmado que esta memoria de alto ancho de banda permite una velocidad de hasta 8 Gbps por chip (un 25% más de rendimiento en comparación con la HBM3 y x8 veces más que la HBM de primera generación), y se espera que entre en producción en masa en 2024.

El comunicado de SK Hynix

“En medio de las crecientes expectativas de que el mercado de la memoria comenzará a recuperarse a partir de la segunda mitad, creemos que nuestra tecnología DRAM líder en la industria, probada nuevamente a través de la producción en masa del proceso de 1bnm, nos ayudará a mejorar las ganancias de la segunda mitad […] El proceso de 1bnm se adoptará para una gama más amplia de productos como LPDDR5T y HBM3E en la primera mitad de 2024.»

Jongwan Kim, Jefe de Desarrollo de DRAM en SK hynix

¿Qué esperas de esta memoria HBM3? ¡Te leemos en comentarios!