Los memristores son unos dispositivos de los que se lleva hablando mucho tiempo. HP ya publicó algunos trabajos al respecto cuando se hicieron posibles estos elementos, y que podrían revolucionar la industria de los semiconductores. Sin embargo, esto no ha sido así hasta el momento, y ahora una startup de Reino Unido ha conseguido algunos avances sobre la ReRAM o RRAM, es decir, una RAM resistiva creada a partir de estos memristores.
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La nueva RRAM con memristores
La startup de Reino Unido que ha revolucionado al sector con su anuncio de una nueva tecnología ReRAM o RRAM es Intrinsic Semiconductor Technologies. Esa empresa fue fundada en 2017 por un grupo de investigadores de la University College London.
Ahora han conseguido suficientes fondos para invertir en el desarrollo de una promesa fallida de la que ha HP habló, abriendo así nuevas oportunidades comerciales para soluciones de memoria más innovadoras y mejores.
Gracias a los memristores, se podría crear una memoria RRAM que tenga propiedades similares a la RAM convencional, pero que fuese una memoria no volátil. Y todo gracias al famoso eslabón perdido de la electrónica, y al que algunas teorías ya apuntaban desde 1971, aunque no se pudo crear en la práctica hasta mucho más tarde.
Estos elementos de memoria resistivos podrían almacenar información cambiando la resistencia cuando se aplica una corriente eléctrica, pudiendo recordar su estado cuando se deja de suministrar dicha energía.
En teoría, los chips RRAM podrían tener capacidades de almacenamiento bastante buenas, y con requisitos de energía muy bajos. HP ya lo intentó en el pasado, pero sus soluciones no eran demasiado viables hace una década. Ahora esta empresa ha conseguido solventar algunos problemas y esto podría hacer que esta tecnología finalmente llegase al mercado, a diferencia de otras prometedoras que se quedaron por el camino, como 3D XPoint.
Intrinsic dice que su tecnología RRAM recientemente implementada resuelve casi todos los problemas de las soluciones memristivas anteriores. La empresa ha obtenido 7 millones de libras esterlinas (8,5 millones de dólares) en una ronda de financiación dirigida por Octopus Ventures y otros inversores, más 1 millón de libras esterlinas otorgado por la agencia de innovación del gobierno del Reino Unido (Innovate UK).
Cogiendo las bases de la UCL, que ha estado investigando y experimentando sobre los memristores durante más de una década, ahora se comienzan a plasmar los primeros resultados. Y es que se pueden fabricar estos dispositivos usando tecnologías ya conocidas y materiales estándar, como el dióxido de silicio. Es decir, la tecnología de Intrinsic es compatible con CMOS. Esto la hace más rentable que otras soluciones que aparecieron en el pasado.
«Convertirse en la columna vertebral de la próxima generación edge computing e IoT»
-Director ejecutivo de Intrinsic, Mark Dickinson
Por otro lado, Intrinsic también dice que su solución RRAM es más fácil de integrar con los circuitos lógicos que se encuentran comúnmente en las CPU, mientras que la memoria flash tradicional no ofrece la misma comodidad de integración.
