La tecnología 3D XPoint de almacenamiento es un nuevo tipo de memoria desarrollada conjuntamente por Intel y Micron Technology Inc. Y esta interesante tecnología podría llenar un vacío en el mercado entre la memoria RAM (DRAM) y el almacenamiento flash NAND. Ahora, tanto una empresa como la otra trabajan por separado para desarrollar y vender sus productos, con interesantes consecuencias…
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En el año 2015, las compañías Intel y Micron anunciaron que habían creado una tecnología de memoria llamada 3D XPoint que podría ser hasta 1000 veces más rápida y que tendría hasta 1000 veces más resistencia que la memoria flash NAND. Además, podría obtener densidades de almacenamiento hasta 10 veces superiores a las actuales memorias. Sin embargo, los primeros productos lanzados no estuvieron a la altura que se esperaba.
Es cierto que superaban a las memorias convencionales, pero no tanto como anunciaban las compañías desarrolladoras de 3D XPoint.
Hay que decir que 3D XPoint tiene una arquitectura diferente a la de otros productos flash. Esta nueva memoria se basa en la tecnología de cambio de fase, con un punto de cruce sin transistores que coloca selectores y celdas de memoria en la intersección de las interconexiones perpendiculares como se puede ver en la imagen superior.
A esas celdas, hechas de un material no especificado, se puede acceder individualmente mediante una corriente enviada a través de las interconexiones superior e inferior que tocan cada celda. Para mejorar la densidad de almacenamiento, las celdas 3D XPoint se pueden apilar en tres dimensiones.
Cada celda almacena un solo bit, es decir, que puede tener el estado 0 o el 1, representado a través de un cambio de propiedad del material de la celda que modificaría la resistencia de ésta. La celda puede ocupar un estado de resistencia alta o baja, representando así la información binaria. Debido a que las celdas son persistentes, mantienen sus valores indefinidamente, incluso cuando hay es una pérdida del suministro de energía, es decir, serían no volátiles.
Las operaciones de acceso, es decir, de lectura y escritura ocurren al variar la cantidad de voltaje enviado a cada selector. Para las operaciones de escritura, se envía un voltaje específico a través de interconexiones de una celda y un selector. Esto activa el selector y permite que el voltaje pase a la celda para iniciar el cambio de propiedad general. Para las operaciones de lectura, se envía un voltaje diferente para determinar si la celda está en un estado de resistencia alta o baja. Así es como funcionan estas memorias.
Por otro lado, hay que decir también que 3D XPoint tiene la capacidad de escribir datos bit a bit, una ventaja sobre NAND. En la NAND todos los bits de cada bloque deben borrarse antes de que se puedan escribir los nuevos valores. En teoría, esta capacidad permite que 3D XPoint tenga un mayor rendimiento y un menor consumo de energía que el flash NAND.
Tanto Micron como Intel comenzaron a desarrollar algunos productos interesantes basados en la nueva tecnología de memoria 3D XPoint. Por ejemplo:
Sin embargo, esta memoria 3D XPoint no ha terminado de cuajar en el mercado por diversos factores…
Veamos algunos puntos destacados de la 3D XPoint que deberían haber impulsado esta memoria a pesar de todo:
Sin embargo, estas mejoras no parecen haber sido suficientes para su expansión como hemos dicho. Y eso puede ser por otras desventajas como:
Por otro lado, como hemos citado anteriormente, estaba el tema del coste. Por ejemplo, para hacerte una idea, tenemos que el Intel Optane P4800X de 375 GB tenía un precio de 1520$, es decir, 4.05$/GB. Esto es mucho comparado con, por ejemplo, la unidad Intel SSD NVMe PCIe P3700 basadas en flash NAND y de 400 GB, que costaba 879$, lo que resulta a 2.20$/GB.
Es decir, es casi el doble de cara que la memoria flash NAND si te fijas en el coste por cada gigabyte…
La memoria 3D XPoint se usa como una memoria intermedia, una especie de caché o buffer adicional entre la memoria principal (DRAM) y los mediosd e almacenamiento secundario (flash NAND como los SSD) o también unidades HDD.
De este modo, las aplicaciones que se acceden de forma más frecuente o que necesitan de mayor rendimiento, se almacenarían en esta memoria 3D XPoint intermedia para su acceso a mayor velocidad, mientras que las que no son tan frecuentes o no necesitan tanto rendimiento, se almacenarían en la memoria secundaria convencional.
Sus precursores pretenden que esta memoria 3D XPoint se extienda en más y más aplicaciones, pero por el momento no ha sido así. Incluso Intel se ha terminado deshaciendo de la división Optane como ben sabes. Antes de eso, Intel soñaba con que esta memoria pudiera emplearse para, por ejemplo:
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