Para el futuro de este universo digital, Samsung ha desarrollado su memoria GDDR6W capaz de generar gráficos mucho más potentes para videojuegos hiperrealistas, gemelos digitales, Metaverso, etc.
A medida que las GPUs avanzan, la tecnología de la memoria VRAM también lo debe de hacer para no generar un cuello de botella. Las nuevas tarjetas gráficas han conseguido gráficos realmente increíbles, sin embargo, para el Metaverso se necesita un plus para una experiencia mucho más inmersiva.
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Uno de los mayores desafíos del mundo gráfico es mejorar la calidad en la realidad virtual, que aún demanda una potencia elevada. Para conseguir entornos que se asemejen al mundo real y recrear grandes espacios virtuales, se necesita un avance en las gráficas actuales. Además, para ciertas aplicaciones, como los gemelos digitales, no solo se necesitan gráficos realistas, también que se actualicen en tiempo real.
Todo esto no era factible debido a las limitaciones del procesamiento de las GPUs y las limitaciones en las transferencias de datos. Sin embargo, poco a poco la tecnología va madurando y permitiendo que esto sea posible con tecnologías como esta de Samsung que aporta una mayor velocidad de la memoria y mayor ancho de banda. Esta nueva tecnología, combinada con otros desarrollos actuales, como Ray Tracing, podrá generar gráficos hiperrealistas para contenido más inmersivo.
La nueva GDDR6W para la VRAM de las futuras tarjetas gráficas mejora la actual GDDR6 y GDDR6X de las actuales tarjetas gráficas. Este desarrollo de Samsung permitirá duplicar la capacidad y el rendimiento basándose en una nueva tecnología de vanguardia denominada FOWLP (Fan-Out Wafer-Level Packaging).
Samsung ha demostrado qué será la GDDR6W (x64), la primera tecnología DRAM de gráficos de próxima generación que se basa en la actual GDDR6 (x32) gracias a esta nueva tecnología FOWLP. Una forma de empaquetar los chips para mejorar la capacidad y el ancho de banda gracias al apilamiento de forma similar a otras soluciones para 3D packaging vistas en la industria de los semiconductores.
Mientras más chips se apilen en un mismo empaquetado, mayor será la capacidad de la memoria. Pero hay varios factores físicos que limitan la altura máxima de un empaquetado. Por un lado la disipación de calor, que debe ser compensada de algún modo, y por otro el rendimiento que se podría ver afectado. Si se superan estos dos factores, gracias a FOWLP, se puede conseguir algo como lo que Samsung ha mostrado en su GDDR6W.
La diferencia con otras soluciones de empaquetado 3D es que con la tecnología FOWLP se monta directamente el chip de memoria en una oblea de silicio, en lugar de una placa de circuito impreso o PCB. Al hacerlo, se aplica la tecnología RDL (capa de redistribución), lo que permite patrones de cableado mucho más finos. Además, como no hay PCB involucrada, reduce el grosor del paquete y mejora la disipación de calor.
La altura del GDDR6W basado en FOWLP es de tan solo 0,7 mm, un 36 % más delgado que el empaquetado anterior con una altura de 1,1 mm. Y a pesar de que el chip tiene varias capas, aún ofrece las mismas propiedades térmicas y el mismo rendimiento que el GDDR6 existente. Sin embargo, a diferencia de GDDR6, el ancho de banda de GDDR6W basado en FOWLP se puede duplicar gracias a la E/S expandida por cada empaquetado unido.
La tecnología GDDR6W recientemente desarrollada puede admitir un ancho de banda a la altura de la HBM, lo que es muy competitivo. HBM2E tiene un ancho de banda de nivel de sistema de 1,6 TB/s (para 4K) y una tasa de transmisión de 3,2 Gpbs por pin. GDDR6W, por otro lado, puede producir un ancho de banda de 1,4 TB/s (para 512) y una tasa de transmisión de 22 Gpbs por pin. Además, dado que GDDR6W reduce la cantidad de E/S a aproximadamente 1/8 en comparación con el uso de HBM2E, elimina la necesidad de usar microbumps. Eso lo hace más rentable sin necesidad de una capa intermedia.
| GDDR6W | HBM2E | |
| El número de E/S de nivel de sistema | 512 | 4096 |
| Velocidad de transmisión del pasador | 22 Gbps | 3.2Gpbs |
| Ancho de banda a nivel del sistema | 1,4 TB/s | 1,6 TB/s |
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