Samsung anuncia sus nuevas memorias V-NAND de 8va generación, que está contando con una cantidad de 236 capas, aumentando la velocidad para las futuras unidades SSD (unidades de estado sólido) con 12 GB/s.
La producción en masa de las nuevas memorias V-NAND ya ha comenzado, un paso súper importante para Samsung y sus futuras unidades. Estas memorias se van a fabricar con unas 236 capas y una velocidad de transferencia de 2400 MTps.
Las nuevas memorias V-NAND van a darle la ventaja a Samsung para poder crear unidades SSD de hasta 12 GB/s con la interfaz PCIe 5.0. Cada uno de los módulos van a tener una capacidad de 1Tb (128GB), que Samsung califica como la mayor densidad de bits del sector.
«A medida que la demanda del mercado de un almacenamiento más denso y de mayor capacidad exige un mayor número de capas de V-NAND, Samsung ha adoptado su avanzada tecnología de escalado 3D para reducir la superficie y la altura, evitando al mismo tiempo las interferencias entre celdas que normalmente se producen al reducir la escala», afirma SungHoi Hur, Vicepresidente Ejecutivo de Productos y Tecnología Flash de Samsung Electronics. «Nuestra V-NAND de octava generación ayudará a satisfacer la creciente demanda del mercado y nos posicionará mejor para ofrecer productos y soluciones más diferenciados, que estarán en la base de las futuras innovaciones de almacenamiento».
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Cada unidad SSD con estas memorias son compatibles con la interfaz PCIe 5.0 x4 que ofrecerá unos fulgurantes 12,4 GB/s o más, según asegura el fabricante.
Además de unas mayores velocidades, estas memorias también proporcionan un 20% más de productividad por oblea en comparación con sus actuales circuitos integrados flash. De momento, el fabricante no ha anunciado ningún producto con esta memoria, pero suponemos que eso va a cambiar pronto. Os mantendremos al tanto de toda la información.
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