Hardware

Samsung empieza a producir chips a 3nm con arquitectura GAA

Samsung ha anunciado que ha empezado a producir chips a 3nm con su nueva arquitectura GAA. La guerra por reducir la litografía de los chips sigue en pleno rendimiento, y hoy da un paso muy importante en este sentido. Vamos a ver todos los detalles.

Samsung ya produce chips a 3nm, un nuevo hito en la guerra por la eficiencia y el rendimiento de los chips

La surcoreana Samsung es una de las pocas empresas del mundo que es capaz de fabricar chips de manera solvente. Junto con la taiwanesa TSMC dominan el mercado, pero en un contexto de feroz competencia por mejorar sus procesos de fabricación. Cada vez hacen falta mejores chips con litografías más avanzadas: reducir los nanómetros supone mejorar la eficiencia y producir chips más densos que puedan rendir mejor, pero es increíblemente complicado conseguirlo.

Por eso, es una gran noticia que Samsung ya empiece a producir sus chips de 3nm, con una arquitectura de transistores GAA (Gate-All-Around), de tipo MBCFET. Así, se superan las limitaciones de FinFET, que poco a poco se está dejando de utilizar.

Comparado con el proceso de 5nm, los chips fabricados con esta litografía de Samsung a 3nm pueden reducir el consumo de energía en un 45%, incrementar el rendimiento en hasta un 23% y reducir el área de los chips en 16%. Y todo esto para la primera generación de 3nm, porque la segunda puede hacerlo todavía mejor.

Esperamos que en los próximos meses empiecen a llegar los primeros productos con chips fabricados bajo esta litografía. Samsung ya lleva meses trabajando con sus clientes bajo el contexto del ecosistema «SAFE», con el que pretenden hacerlo todo mejor y más fácil para los diseñadores de chips como Nvidia.

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Hace tan solo unos años, los chips de 14 y 16nm eran la norma. Ahora, nos vamos acercando hacia nuevos límites que sin duda supondrán un gran reto para los fabricantes como Samsung o TSMC. Mientras tanto, sigamos disfrutando de los excelentes chips que salen de estos procesos de fabricación tan avanzados.

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