TSMC ha presentado oficialmente su nodo de 2 nm, el cual bautizan como ‘N2’. Este nodo de proceso de chips va a utilizar los transistores GAAFET, y está proyectado para llegar al mercado durante el año 2025, aportando grandes beneficios de rendimiento y consumo de energía.
TSMC revela el nodo de 2 nm: 10-15% más de rendimiento para 2025
El nuevo proceso de fabricación ofrecerá un rendimiento y unas ventajas energéticas de nueva generación, que permitirá aumentar la cantidad de transistores y va a posibilitar procesadores más rápidos y más complejos.
Los transistores GAA nanosheet cuentan con canales rodeados de puertas por los cuatro lados, lo que reduce las fugas de energía de otros transistores utilizados actualmente. Además, sus canales pueden ampliarse para aumentar la corriente de accionamiento y potenciar el rendimiento o reducirse para minimizar el consumo de energía y el coste.
El mejorar los nodos de fabricación de chips son siempre ventajas, que permiten mejorar el consumo de energía, crear procesadores más complejos y que funcionan a unas velocidades de reloj superiores.
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TSMC asegura que sus nodos N2 ofrecerán una mejora de rendimiento entre 10% y un 15% con la misma potencia y complejidad, así como de un consumo de energía entre un 25% y un 30% menor con la misma frecuencia y número de transistores, siempre comparándolo con el nodo N3E de TSMC. El salto en la densidad de transistores no será tan grande con respecto a N3E, se habla de un 10%. Sin embargo, la mejora en la densidad de transistores aumenta al 30% si se compara con el nodo N5.
Como es de esperar, estos nodos se van a utilizar SoCs de portátiles, procesadores de alto rendimiento y GPUs.
La proyección es que los nodos de 2 nm de TSMC comience su producción en masa en el año 2025. Es posible que los chips con estos nodos no lleguen hasta finales de ese año. Os mantendremos informados.
