Samsung pasa de los 12 nm para sus chips de DRAM porque quiere ir directamente a los 11 nm. Concretamente, es el paso de 1b a 1c, que es como denomina la marca coreana estos procesos de fabricación para DRAM. Te informamos del por qué.
Como uno de los gigantes del negocio de memoria RAM, Samsung lucha por ofrecer lo último en su sector. Compite con SK y Micron, pero el equipo azul se pone serio: quiere superar lo presente en chips DRAM. No dejan de ser chips que están fabricados con una determinada litografía, por lo que Samsung ha tenido problemas en el desarrollo de 1b.
Samsung quiere chips DRAM de 11 nm tras fallar los de 12 nm
Los coreanos han tenido problemas con el nodo 1b (12 nm) de sus chips DRAM, por lo que han decidido rendirse con él. Puede que lo lógico fuese volver a empezar el proceso, pero Samsung ha decidido buscar personal I+D para pasar directamente al nodo 1c de 11 nm.
De hecho, se ha fijado el objetivo de completar los chips DRAM de 11 nm este mismo junio, un plazo algo complicado. La razón por la que fracasaría el nodo 1b, podría encontrarse en la producción en masa de objetos físicos, según un informe.
Tal cabezonería por pasar de un nodo a otro estaría en su propósito de expandir la brecha tecnológica entre SK hynix y Micron porque Samsung está por detrás en producción de chips 1a en masa.
Nosotros ya abordamos el mercado de los fabricantes de memoria RAM, un sector tildado de oligopolio porque casi todo el control pertenece a estas 3 empresas. Es más, ha habido sanciones a éstas por hacer un cártel con el objeto de acordar unos precios de venta a socios.
Quien no arriesga no gana, y así lo enfoca Samsung con sus chips DRAM en una carrera tecnológica que ya hemos visto anteriormente. Recordad cuando todos fabricaban chips DRAM de 28 nm y los coreanos decidieron enfocarse en 25 nm. Entonces, la jugada le salió bien, pero puede que aquí esté cometiendo ciertos riesgos elevados.
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¿Qué os parece esta decisión?
