Intel está seguro del lanzamiento de la plataforma Xeon Scalable ‘Sapphire Rapids’.
Sapphire Rapids con HBM2E es un 115% más rápido que EPYC Milan-X, asegura Intel
La cuarta generación de Intel Xeon puede obtener un enorme aumento de rendimiento gracias a la memoria HBM2E. Según la compañía, gracias a estos nuevos módulos de memoria ultrarrápidos, aseguran que supera a los procesadores AMD EPYC Milan.
Las memorias HBM2E integradas en Sapphire Rapids son unas 2,8 veces más rápidas en comparación con los actuales procesadores AMD EPYC ‘Milan’ e Intel Xeon Scalable ‘Ice Lake’, según las afirmaciones.
«La incorporación [de la memoria HBM2E en el paquete Xeon] proporciona un ancho de banda de memoria similar al de la GPU a las cargas de trabajo de la CPU», afirma Raja Koduri, responsable del Grupo de Gráficos y Sistemas de Computación Acelerada de Intel. «Esto ofrece a muchas aplicaciones de la CPU un ancho de banda de memoria hasta cuatro veces mayor. Y no necesitan hacer ningún cambio de código para beneficiarse de ello».
Intel utilizó el benchmark de dinámica de fluidos computacional (CFD) OpenFOAM (28M_cell_motorbiketest) para mostrar el rendimiento de la plataforma.
En la comparativa, Intel utiliza un Xeon Scalable ‘Ice Lake-SP’, una muestra de Sapphire Rapids, y otra muestra con Sapphire Rapids + HBM.
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La diferencia que aporta la memoria HBM2E en el paquete es realmente muy significativo, con unas ganancias de rendimiento del 60% por sobre Ice Lake-SP sin la memoria, y el 180% cuando se añade esta memoria en el paquete.
En cambio, el Sapphire Rapids con HBM2E ofrecerá un rendimiento más de dos veces (o un 115%) superior al del Milan-X en la misma prueba de rendimiento.
Intel va a comenzar a vender sus Xeon Scalable ‘Sapphire Rapids’ con memoria HBM2E en la segunda mitad del año.
