Samsung logra un 98% de precisión en la computación en memoria MRAM

Anunciado por parte se Samsung la primera solución de computación en memoria magnetorresistiva o MRAM. Esta es una solución para el campo de la inteligencia artificial de bajo consumo.

Samsung ha realizado computación en memoria basada en MRAM

La informática convencional se basa en una unidad de procesamiento que realiza una tarea o conjunto de ellas. El resultado total, parcial o datos necesarios para realizar la tarea se almacenan en la memoria RAM. Para esto se requiere un ancho de banda muy grande y se generan unas latencias o retrasos a la hora de escribir y leer la información.

Computación en memoria es una nueva solución de computación. Dicha solución también recibe el nombre de integración de almacenamiento y computación. Este proceso realiza de manera simultánea el almacenamiento de datos y el procesamiento de datos en la memoria sin necesidad del proceso de intercambio de datos entre dos puntos.

Adicionalmente, el procesamiento de los datos en la memoria se realiza de manera altamente paralelizada. Esto lo que nos ofrece es un alto rendimiento y una gran reducción en el consumo de energía.

La memoria magnetorresistiva o MRAM tiene importantes mejoras en cuanto a términos de velocidad de operación. Además, ofrece un aumento en la vida útil y es más sencilla de fabricar en masa. También ofrece un consumo de energía mucho menor que la DRAM convencional.

El problema de la MRAM es que era difícil usarla en la computación en memoria. Tiene el problema de no poder aprovechar el bajo consumo de energía en las arquitecturas de computación en memoria estándar. Hasta la fecha se utilizaba la arquitectura de «suma de corriente»

Un equipo de investigadores de Samsung ha conseguido resolver el problema. Han desarrollado una nueva arquitectura de computación en memoria denominada «suma de resistencia». También han creado un nuevo sistema de chip en matriz MRAM denominado «entrelazado de memoria magnetoresistiva»

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Mediante esta matriz se resuelve el problema de la resistencia de un solo dispositivo MRAM. Se consigue así reducir el consumo de energía y permite la computación en memoria basada en MRAM.

Samsung ha probado esta tecnología para realizar cálculos por inteligencia artificial. La memoria MRAM ha conseguido una tasa de éxito del 98% para la escritura a mano. Además, consigue una tasa de precisión del 93% para el reconocimiento facial.

¿Qué te parece esta nueva tecnología de computación en memoria MRAM de Samsung para la inteligencia artificial?