El VTFET de IBM y Samsung podría transformar la electrónica del futuro, al reducir el consumo de energía de los clásicos transistores FinFET en un 85%.
VTFET: Los transistores ‘revolucionarios’ de IBM y Samsung
Muchos de los procesadores y GPUs que se utilizan hoy en día utilizan transistores FinFET, entre muchos otros componentes utilizados en la electrónica que utilizan FinFET o tecnologías similares.
Samsung e IBM están trabajando para poder mejorar la eficiencia de los transistores, que podría permitir CPUs y GPUs más rápidos consumiendo mucha menos energía, incluso se podría aplicar la tecnología VTFET para poder crear baterías que duren hasta una semana de uso si se aplica en dispositivos portátiles.
Estos transistores innovan al «utilizar una nueva arquitectura de transistores verticales que demuestra un camino para escalar más allá de las nanosheet».
Si se comparan con los transistores FinFET de tamaño equivalente, los transistores VTFET pueden reducir el uso de energía en un 85% y ofrecer un aumento de rendimiento equivalente o aproximadamente el doble con el mismo consumo de energía. Esto es demasiado bueno como para no invertir dinero y esfuerzo por parte de ambas compañías, dos de las más importantes del mundo en el sector tecnológico.
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Si se combina los transistores VTFET junto con las técnicas de reducción de nodos y de apilamiento 3D, el futuro de la tecnología podría verse acelerado a cotas inimaginables hace algunos años.
La tan mencionada ‘Ley de Moore’ podría seguir teniendo vigencia durante muchos años más, una ley que plantea que la densidad de transistores se duplica cada dos años en el terreno de los semiconductores.
»El anuncio de la tecnología de hoy consiste en desafiar las convenciones y repensar cómo seguimos avanzando en la sociedad y ofrecer nuevas innovaciones que mejoren la vida, los negocios y reduzcan nuestro impacto medioambiental», dijo el Dr. Mukesh Khare, Vicepresidente de Nube Híbrida y Sistemas de IBM Research. «Dadas las limitaciones a las que se enfrenta actualmente la industria en múltiples frentes, IBM y Samsung están demostrando nuestro compromiso con la innovación conjunta en el diseño de semiconductores y una búsqueda compartida de lo que llamamos hard tech.»
Es muy posible que otros fabricantes importantes también estén anunciando sus propios transistores, que dejen atrás los FinFET, GAAFET, etc. Os mantendremos al tanto de todas las novedades.
