SK Hynix acaba de confirmar el desarrollo de su propia memoria HBM3 de 24 GB de capacidad, capaz de entregar una velocidad de 6,4 Gbps.
Las memorias HBM3 viene a reemplazar a las memorias HBM2 actuales, que son de las más rápidas del mercado, superando a DDR6. SK Hynix ha logrado elevar las velocidades por sobre las especificaciones originales. De esta manera, se pasa de una velocidad de 5,2 a 6,4 Gbps.
Debemos tener en cuenta que las memorias HBM3 todavía no tienen las especificaciones finales de JEDEC, por lo que cada fabricante está experimentando para conocer cuales son los límites de velocidad que pueden ofrecer estos módulos.
Con unas velocidades iniciales de 6,4 Gbps, el ancho de banda puede subir hasta los 819 GB/s por pila. El módulo ya se mostró con 12 pilas, cada una de ellas conectada a una interfaz de 1024 bits. Un mayor número de pilas además de una mayor frecuencia aumenta el ancho de banda por pila de 461 GB/s a 819 GB/s.
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Recientemente, el AMD Instinct MI250X se anunció con 8 pilas HBM2e funcionando a 3,2 Gbps. Cada uno de ellos cuenta con 16 GB de capacidad, por lo que el dispositivo completo ofrece 128 GB.
El fabricante TSMC ya había revelado sus planes para la tecnología de empaquetado CoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate) ofrezca hasta 12 pilas HBM y los primeros productos se esperan que lleguen en el año 2023 utilizando esta tecnología.
Cualquier producto con 12 pilas de HBM3 12Hi de SK Hynix estaría ofreciendo, en consecuencia, 288 GB de capacidad y hasta 9,8 TB/s de ancho de banda máximo.
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