Las memorias HBM3 han sido anunciadas como la cuarta generación de esta tecnología, que aplica un diseño de múltiples chips DRAM conectados verticalmente.
Hasta ahora, se habían lanzados los módulos de memoria HBM, HBM2 y HBM2E. HBM3 se va a lanzar con una mayor capacidad y también con un mayor de ancho de banda por módulo.
Cada modulo de memoria HBM2 vs HBM3 tiene hasta 24 GB de capacidad y puede alcanzar un ancho de banda de 819 Gbps, lo que lo convertirá en la memoria más rápida del mundo en este momento.
«Desde su lanzamiento de la primera DRAM HBM del mundo, SK Hynix ha conseguido desarrollar la primera HBM3 del sector tras liderar el mercado de las memorias HBM2E. Seguiremos esforzándonos por consolidar nuestro liderazgo en el mercado de las memorias de alta calidad y ayudaremos a potenciar los valores de nuestros clientes proporcionando productos que se ajusten a las normas de gestión de ESG».
– dijo Seon-yong Cha, Vicepresidente Ejecutivo a cargo del desarrollo de DRAM.
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SK Hynix también fue la primera en fabricar en masa las memorias HBM2E y parece que tomara la delantera con los módulos HBM3.
La capacidad para procesar hasta 819 GB (Gigabyte) por segundo, significa que se pueden transmitir hasta 163 películas FHD (full-HD) (5 GB cada una) en un solo segundo. En comparación con HBM2E actual, el aumento de ancho de banda es del 78%, una mejora enorme de una generación a otra.
Se espera que las memorias HBM3 sean utilizadas principalmente por los centros de datos de alto rendimiento, en el aprendizaje automático, en superordenadores, etc.
Es difícil determinar si estos módulos van a ser utilizados en tarjetas gráficas o en otros componentes de PC en este momento.
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