Samsung está anunciado que sus chips DDR5 se comienzan a fabricar en masa en sus fábricas de semiconductores.
Samsung va a utilizar un nodo de 14 nm con el nuevo proceso EUV de cinco capas para DDR5
El fabricante surcoreano, uno de los más importantes del sector, anuncia el comienzo de la fabricación de los módulos DRAM DDR5 en grandes cantidades, para distribuirse a nivel mundial a los distintos clientes que lo soliciten, desde fabricantes de memorias, ordenadores pre-armados, portátiles, móviles, IA, 5G y un largo etc, ademas de sus propios productos.
Samsung va a utilizar un nodo de 14 nm con el nuevo proceso EUV de cinco capas, que va a permitir una mayor densidad de bits de DRAM, que sería la más avanzada de la industria en este momento. La firma asiática dice que este proceso EUV va a mejorar un 20% la productividad.
«Hemos liderado el mercado de la DRAM durante casi tres décadas siendo pioneros en las innovaciones tecnológicas clave en materia de patronaje. Hoy, Samsung está marcando otro hito tecnológico con la tecnología EUV multicapa que ha permitido una miniaturización extrema a 14nm, una hazaña que no es posible con el proceso convencional de fluoruro de argón (ArF). Sobre la base de este avance, seguiremos proporcionando las soluciones de memoria más diferenciadas al abordar plenamente la necesidad de un mayor rendimiento y capacidad en el mundo impulsado por los datos del 5G, la IA y el metaverso.»
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Samsung ha ido perfeccionando su proceso EUV desde marzo del año pasado cuando lo utilizó por primera vez en sus módulos DRAM. Ahora ha aumentado el número de capas, para poder realizar los módulos DDR5 más avanzados de la industria.
Con un proceso de 14nm, estos módulos reducen el consumo de energía en casi un 20% en comparación con los módulos DRAM actuales.
Se comenta que los nuevos módulos DRAM de 14nm de Samsung van a alcanzar velocidades de hasta 7,2 gigabits por segundo (Gbps), el doble de las actuales DDR4 con 3,2 Gbps. Os mantendremos informados.
