Memorias

DDR5-4800, Intel comparte información sobre las memorias

Las memorias DDR5 van a debutar con la serie de procesadores Intel Core ‘Alder Lake’ de 12va generación.

DDR5-4800, Intel comparte información sobre las memorias

En cuanto a la validación de las memorias DDR5, Intel no lo hizo por sí misma en esta ocasión, sino que delegó esa tarea a Advanced Validation Labs, Inc (AVL), que es un renombrado especialista en pruebas y validación de memorias en la fase de pre y post-producción.

El fabricante de chips ha publicado un nuevo documento en el que se enumeran los diferentes módulos de memoria DDR5-4800, que es el modelo y la velocidad estándar anunciada para los procesadores Alder Lake, que están proyectadas para su lanzamiento en el mes de noviembre.

Las memorias validadas no tienen ECC y se ciñen a las directrices de JEDEC, que incluye un voltaje de DRAM de 1,1 V y unas latencias de 40-39-39.

Las memorias validadas por Advanced Validation Labs, Inc (AVL) para Intel Core ‘Alder Lake’ provienen de distintos fabricantes muy conocidos, como SK Hynix, Samsung, Micron, Crucial y Kingston, con unas capacidades que varían entre los 8 y los 32 GB.

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Según el documento, los primeros módulos que van a realizar con modulo DDR5 de 16 gigabits, por lo que los módulos de mayor capacidad van a tardar un poco más en llegar.

DDR5-4800 – Especificaciones de memorias validadas

DIMM	Codigo	tipo	capacidad	velocidad	R/C	DRAM	NÚMERO DRAM	Densidad	DRAM codigo	Die Rev	Ranks Width	PMIC	PMIC Rev
SK hynix	HMCG66MEBUA081N	UDIMM n-ECC	8 GB	4800	C0	SK hynix	H5CG46MEBDX015	16 Gb	2127	M	1Rx16	Renesas	B0
SK hynix	HMCG78MEBUA081N	UDIMM n-ECC	16 GB	4800	A0	SK hynix	H5CG48MEBDX014	16 Gb	2127	M	1Rx8	Renesas	B0
SK hynix	HMCG88MEBUA081N	UDIMM n-ECC	32 GB	4800	B0	SK hynix	H5CG48MEBDX014	16 Gb	2127	M	2Rx8	Renesas	B0
Samsung	M323R1GB4BB0-CQKOD	UDIMM n-ECC	8 GB	4800	C0	Samsung	K4RAH165VB-BCQK	16 Gb	2137	B	1Rx16	Renesas	B0
Samsung	M323R1GB4BB0-CQKOD	UDIMM n-ECC	16 GB	4800	A0	Samsung	K4RAH086VB-BCQK	16 Gb	2137	B	1Rx8	Renesas	B0
Samsung	M323R4GA3BB0-CQKOD	UDIMM n-ECC	32 GB	4800	B0	Samsung	K4RAH086VB-BCQK	16 Gb	2137	B	2Rx8	Renesas	B0
Micron	MTC8C1084S1UC48BA1	UDIMM n-ECC	16 GB	4800	A0	Micron	MT60B2G8HB-48B:A	16 Gb	2137	A	1Rx8	Renesas	B0
Micron	MTC16C2085S1UC48BA1	UDIMM n-ECC	32 GB	4800	B0	Micron	MT60B2G8HB-48B:A	16 Gb	2137	A	2Rx8	Renesas	B0
Crucial	CT16G48C40U5	UDIMM n-ECC	16 GB	4800	A0	Micron	MT60B2G8HB-48B:A	16 Gb	2137	A	1Rx8	Renesas	B0
Crucial	CT32G48C40U5	UDIMM n-ECC	32 GB	4800	B0	Micron	MT60B2G8HB-48B:A	16 Gb	2137	A	2Rx8	Renesas	B0
Kingston	KVR48U40BS8-16	UDIMM n-ECC	16 GB	4800	A0	SK hynix	H5CG48MEBDX014	16 Gb	2127	M	1Rx8	Renesas	B0
Kingston	KVR48U40BD8-32	UDIMM n-ECC	32 GB	4800	B0	SK hynix	H5CG48MEBDX014	16 Gb	2127	M	2Rx8	Renesas	B0

SK hynix, Samsung and Micron are IC manufacturers, so naturally they’ll utilize

Cada memoria, a su vez, tiene un circuito integrado de gestión de energía (PMIC). Los primeros módulos van a tener un circuito integrado PMIC P8911, que es una versión optimizada del P8900 de Renesas.

Tanto Hynix como Micron van a aportar sus propios módulos M-dies y A-dies, que funcionan bien con los voltajes predefinidos, pero que tienen unas latencias más altas.

Hynix, Micron y Samsung van a utilizar sus propios CI, mientras que Kingston utilizará el CI de Hynix y Crucial hará lo suyo con el CI de Micron.

Las memorias DDR5 llegaran a tiempo para el lanzamiento de los procesadores Intel Core de 12va generación ‘Alder Lake’, que llegaría a las tiendas en el mes de noviembre.