Se han anunciado por parte de Innodisk sus primeros módulos de memoria DRAM DDR5 de tipo industrial. Este nuevo estándar de memorias nos ofrece mejoras de rendimiento y una reducción de consumo con respecto al estándar DDR4.
El nuevo estándar DDR5 nos ofrece ciertas mejoras con respecto al estándar DDR4. Una de las mejoras más importantes está en el aumento de frecuencias y en el aumento de las capacidades de la memoria. La mejora de rendimiento de este nuevo estándar se consigue mediante un ajuste en los consumos a la baja, lo cual es excelente.
Las especificaciones JESD79-5 DDR5 SDRAM ha sido clave para la transición hacia DDR5 que integra mejoras en cuanto a capacidad, velocidades, tensiones y ECC. Según este nuevo estándar se conseguirá hasta cuatro veces más capacidad por IC. Adicionalmente se permite alcanzar una matriz de 64Gb, permitiendo que la capacidad máxima de un único módulo DIMM DDR5 pueda ser de 128GB.
Respecto a las velocidades de transferencia, se establece una máxima teórica de 6400MT/s, que es el doble con respecto a DDR4. La tensión pasa de los 1.2V en DDR4 hasta los 1.1V en DDR5, haciendo este estándar mucho más eficiente. Algo interesante es que la administración de energía se hace directamente en el módulo DIMM, permitiendo reducir los circuitos de administración de energía y permitiendo eliminar de la placa base estos sistemas.
Para el nuevo estándar DDR5 se ha diseñado una arquitectura DIMM de doble canal. Tenemos en cada DIMM dos canales de 40 bits (32 bits de datos y ocho bits ECC) para la misma cantidad de datos más la inclusión de bits ECC. Dos canales independientes permiten mejorar la eficiencia de la memoria en cuanto al acceso.
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Los nuevos módulos DDR5 de Innodisk llegarán con capacidades de 32GB por módulo y unas velocidades de 4800MT/s. Unos módulos que irán directamente destinados a sistemas para comunicaciones 5G, Deep Learning, Inteligencia Artificial, Edge Computing, medicina inteligente, supercomputación y aplicación de misión crítica.
| Interfaz | DDR5 |
| Factor de forma | UDIMM |
| Velocidad de datos | 4800 MT / s |
| Capacidad | 16 GB, 32 GB |
| Función | Memoria sin búfer no ECC |
| Número de PIN | 288 pines |
| Ancho | 64 bits |
| Voltaje | 1,1 V |
| Altura de PCB | 1,23 pulgadas |
| Temperatura de funcionamiento | 0 ° C hasta 85 ° C |
| Anti-sulfuración | Si |
| Densidad | Capacidad chip | Número de pieza | Rango | Voltaje | Descripción |
| 16 GB | 2Gx8 | M5UV-AGM2JC0P-A | 1Rx8 | 1,1 V | DDR5 4800 UDIMM |
| 32 GB | 2Gx8 | M5UV-BGM2KC0P-A | 2Rx8 | 1,1 V | DDR5 4800 UDIMM |
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