Samsung estuvo en el IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) para mostrar sus nuevos chips de memoria de 256 Gb basados en la tecnología SRAM. La tecnología que hay detrás es lo mas interesante de este salto, al utilizar un nodo de proceso de 3 nm.
Samsung revela un chip MBCFET de 256 Gb y nodo de 3 nm
Samsung ya comienza a experimentar y diseñar chips en 3 nm. Su chip de memoria de 256 Gb es el primero que utiliza su nueva tecnología de transistores MBCFET (multi-bridge channel FET). Este salto va a permitir chips con una mayor densidad de transistores y mas eficientes a nivel de consumo eléctrico.
Samsung, actualmente, desarrolla la tecnología GAAFET (gate-all-around) o MBCFET (multi-bridge channel FET.
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El SRAM compartido por Samsung utiliza la tecnología MBCFET y es un chip de 256 Gb de capacidad con una superficie de 56 mm². Uno de los aspectos que más destaca la gente de Samsung es que el chip requiere 230 mV menos de energía para las escrituras de datos, en comparación con la tecnología de GAAFET.
El plan sería utilizar el proceso de MBCFET de 3 nm para entrar en producción a gran escala en algún momento del año 2022. Es normal que todavía no tengamos demostraciones sobre estos nuevos chips de Samsung, pero parece que el fabricante asiático ya está muy adelantado con sus primeros chips de 3 nm, con vistas a comenzar a fabricarlos en masa para el año que viene. El plan parece similar al que tienen SK Hynix y Micron. Os mantendremos informados.
