Durante el Technology Symposium anual de la compañía, el fabricante TSMC, ha revelado las características planeadas de su nodo de proceso de 3nm (N3), que entrará en producción de riesgo en 2021.
Antes de 3nm, TSMC planea lanzar un nodo de proceso de 5nm+ (N5P) así como un nodo de 4nm (4N), ambos serán una versión mejorada de 5nm, que ya ha entrado en la fabricación de alto volumen. 5nm+ ofrecerá un aumento de frecuencia del 5% sobre 5nm o una reducción del 10% en el consumo de energía. 4nm ofrecerá a los usuarios capas adicionales de EUV para reducir el número de capas.
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Con 5nm, TSMC afirma ofrecer un 15% más de rendimiento con el mismo consumo de energía con respecto a los 7nm o un 30% de reducción de energía con el mismo rendimiento. Además, se aumenta la densidad en 1,8 veces sobre los 7 nm. Con 3nm, TSMC planea ofrecer una reducción de energía del 25-30% mientras ofrece el mismo rendimiento que 5nm, o un aumento del 10-15% en el rendimiento mientras ofrece el mismo consumo de energía con un aumento de 1,7 veces en la densidad del silicio.
[irp]Al comparar los 3nm con los 7nm, el nodo de 3nm debería ofrecer a los clientes un aumento de 3,06x en la densidad del silicio, hasta un 51% de disminución en el consumo de energía, mientras que ofrece los mismos niveles de rendimiento o un aumento de hasta 32,25% en la frecuencia con el mismo consumo de energía que 7nm. 3nm está previsto que entre en producción de riesgo en 2021 y que entre en el nivel de producción en masa en la segunda mitad de 2022.
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