El Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos del IEEE ha anunciado que Chenming Hu, inventor del transistor FinFET, ha sido galardonado con la Medalla de Honor del IEEE 2020, el más alto premio del IEEE para una tecnología que ha prolongado la vida de la Ley de Moore durante décadas.
Zhengming Hu, inventor del FinFET, recibe la Medalla de Honor de la IEEE
Desde 1965, el cofundador de Intel, Gordon Moore, propuso la «Ley de Moore», el proceso de los semiconductores se ha desarrollado de acuerdo con esta ley, 2 años para duplicar la densidad de los transistores.
Pero la Ley de Moore debería haber terminado, porque según esos desarrollos, el proceso tradicional de semiconductores basados en el silicio es cada vez más difícil de fabricar, especialmente después del proceso de 28nm.
El profesor Zhengming Hu contribuyó mucho a este problema al inventar el transistor FinFET, también llamado transistor de aleta o transistor 3D, en 1999 debido a la similitud de la forma del transistor con una aleta de un pez.
Los transistores FinFET están diseñados para mejorar el control de los circuitos y reducir las corrientes de fuga, acortando la longitud de la puerta del transistor, que ya puede ser inferior a 25nm, y se espera que se reduzca aún más a 9nm en el futuro, que es aproximadamente 1 de cada 10.000 cabellos humanos de ancho.
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Intel oficialmente produjo en masa la tecnología de transistores 3D en 2012, el primer lanzamiento fue el proceso de 22nm, cuando TSMC y Samsung todavía estaban atascados en el proceso de 28nm, luego en el nodo de 16/14nm antes de que entraran en la era de los transistores FinFET.
[irp]Desde este punto de vista, no sólo el invento del profesor Zhengming Hu salvo la Ley de Moore con la tecnología FinFET, sino que las empresas de la industria de los semiconductores como Intel, AMD, NVIDIA, Apple, Huawei, Qualcomm, Samsung y otras se beneficiaron del invento del profesor Hu, y lo seguirán haciendo durante uso años más.
