Micron ha revelado que está a punto de comenzar la producción en volumen de sus dispositivos de memoria 3D NAND de cuarta generación. Basándose en la nueva arquitectura de la compañía replacement gate (RG), el fabricante de memorias se está preparando para comenzar la producción en el actual trimestre fiscal, que es en este trimestre.
Micron comienza la producción en masa de 3D NAND con 128 capas
Tal como lo detalló Micron anteriormente, el 3D NAND de cuarta generación de la compañía cuenta con hasta 128 capas activas y utiliza la tecnología RG, que reemplaza la tecnología tradicional floating gate que ha sido utilizada por Intel y Micron durante años.
Este es un cambio de diseño sustancial, y uno importante en el futuro, ya que es el núcleo de los planes tecnológicos a largo plazo de Micron. También resulta ser la primera tecnología de memoria flash de la compañía en bastante tiempo que ha sido diseñada únicamente por Micron, y no en conjunto con su antiguo socio Intel. Micron espera que el cambio permita reducir el tamaño de los troqueles, disminuir los costes, mejorar el rendimiento y facilitar la transición a los nodos de próxima generación, presumiblemente con mayor número de capas.
Micron no tiene planes de trasladar todos sus productos a su tecnología 3D NAND basada en RG de cuarta generación, y ya ha advertido a sus inversores que no esperen una reducción significativa del coste por bits en toda la empresa este año como resultado de esta transición tecnológica.
Visita nuestra guía sobre las mejores unidades SSD del mercado
[irp]Micron dijo que planea comenzar los envíos de sus productos 3D NAND de 128 capas RG en el cuarto trimestre del año fiscal 2020, es decir, este verano. Mientras tanto, Micron aún tiene que revelar qué productos planea construir con esta tecnología. Os mantendremos informados.
