SK Hynix ha firmado un nuevo y amplio acuerdo de licencia de patentes y tecnología con Xperi Corp. Entre otras cosas, la compañía licenció la tecnología de interconexión DBI Ultra 2.5D/3D desarrollada por Invensas. Esta última fue diseñada para permitir la construcción de conjuntos de chips de hasta 16-Hi, incluyendo memoria de última generación, y SoCs altamente integrados que presentan numerosas capas homogéneas.
La DBI Ultra de Invensas es una tecnología patentada de interconexión de unión híbrida de matriz a oblea que permite de 100.000 a 1.000.000 de interconexiones por mm2, utilizando pasos de interconexión tan pequeños como 1 µm. Según la compañía, el número mucho mayor de interconexiones puede ofrecer un ancho de banda dramáticamente mayor en comparación con la tecnología convencional de interconexión de pilares de cobre, que sólo llega hasta 625 interconexiones por mm2. Las pequeñas interconexiones también ofrecen una altura z más corta, lo que permite construir un chip apilado con 16 capas en el mismo espacio que los chips convencionales de 8-Hi, permitiendo mayores densidades de memoria.
Al igual que otras tecnologías de interconexión de próxima generación, DBI Ultra soporta tanto la integración 2.5D como la 3D. Además, permite la integración de dispositivos semiconductores de diferentes tamaños y producidos con diferentes tecnologías de proceso. Esta flexibilidad será particularmente útil no sólo para las soluciones de memoria de alta capacidad y gran ancho de banda de próxima generación (incluyendo 3DS, HBM y más allá), sino también para varias CPUs, GPUs, ASICs, FPGAs y SoCs altamente integrados.
DBI Ultra utiliza un enlace químico que permite interconectar capas que no añaden altura de separación, y no requieren pilares de cobre o relleno inferior. Mientras que el flujo de proceso usado para DBI Ultra es diferente cuando se compara con los procesos de apilamiento convencionales, continúa involucrando troqueles de buena calidad conocida y no requiere altas temperaturas, lo que resulta en rendimientos relativamente altos.
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