Para el año 2030, Samsung planea convertirse en el principal productor mundial de semiconductores, superando a empresas como TSMC e Intel. Para lograr esto, la compañía debe adelantarse a nivel tecnológico, por eso han anunciado la creación de los primeros prototipos de chips en 3nm GAAFET.
Samsung anuncio que ha fabricado sus primeros prototipos en 3nm GAAFET
Samsung está invirtiendo en varias nuevas tecnologías, superando la estructura FinFET de la mayoría de los transistores modernos hacia un nuevo diseño llamado GAAFET. Esta semana, Samsung ha confirmado que ha producido sus primeros prototipos utilizando su nodo GAAFET de 3nm previsto, un paso importante hacia su eventual producción en serie.
En comparación con el próximo nodo de 5nm de Samsung, el GAAFET de 3nm está diseñado para ofrecer mayores niveles de rendimiento, mejor densidad y considerables reducciones en el consumo de energía. Samsung estima que su nodo GAAFET de 3nm ofrecerá un aumento del 35% en la densidad del silicio y una reducción del 50% en el consumo de energía con respecto a su nodo de 5 nm. Además, se estima que la sola reducción del nodo aumentara el rendimiento en hasta un 35%.
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Samsung, cuando anunció inicialmente su nodo GAAFET de 3nm, informó que planeaba comenzar la producción en masa en 2021, lo cual es un objetivo ambicioso para un nodo tan avanzado. Si tiene éxito, Samsung tiene la oportunidad de arrebatar cuota de mercado a TSMC, asumiendo que su tecnología puede proporcionar un mejor rendimiento o densidad que las ofertas de TSMC.
La tecnología GAAFET de Samsung es una evolución de la estructura FinFET que se utiliza actualmente en la mayoría de los chips modernos. Este proporciona a los usuarios una estructura de cuatro puertas alrededor de los canales del transistor. Esto es lo que da al GAAFET su nombre de Gate-All-Around, ya que la arquitectura de 4 puertas cubre todos los lados del canal y reduce las fugas de energía. Esto permite que se utilice un mayor porcentaje de la potencia de un transistor, lo que aumenta la eficiencia de la potencia y el rendimiento.
[irp]Traducido al castellano, esto quiere decir que los procesadores y gráficas en 3nm obtendrán importantes mejoras de rendimiento y consumo de energía. Os mantendremos informados.
