Kioxia muestra un posible sucesor de NAND »Twin BiCS Flash»

Kioxia, conocida anteriormente como Toshiba Memory, ha creado un sucesor de las memorias flash 3D NAND, que ofrece una mayor densidad de almacenamiento en comparación con el flash NAND de QLC.

Kioxia diseña la tecnología Twin BiCS Flash la densidad de la memoria NAND

Esta nueva tecnología, que se anunció el jueves, permite que los chips de memoria tengan celdas más pequeñas y más almacenamiento por celda, lo que puede aumentar significativamente la densidad de memoria por celda.

Kioxia anunció la primera «estructura celular de memoria flash de puerta dividida semicircular tridimensional» («three-dimensional semicircular split-gate flash memory cell structure») del mundo, que se llama Twin BiCS Flash. Esto es diferente del otro producto de Kioxia, BiCS5 Flash. BiCS5 Flash utiliza células trampa de carga circulares, mientras que el Twin BiCS Flash utiliza células de compuerta flotante semicirculares. La nueva estructura amplía la ventana de programación de la célula, aunque las células son físicamente más pequeñas en comparación con la tecnología de TC.

El flash de Twin BiCS es la mejor opción actualmente para tener éxito con la tecnología NAND de QLC, aunque todavía se desconoce la futura implementación de este chip. Este nuevo chip aumenta significativamente el almacenamiento de la memoria flash, lo que ha sido un gran problema para los fabricantes, aunque actualmente existen tres escuelas de pensamiento sobre cómo solucionar esto.

Una de las opciones es la de aumentar el número de capas. Los fabricantes han aprobado recientemente los chips de flash NAND de 96 capas y han conseguido los chips de flash NAND de 128 capas. Otra forma de aumentar la densidad de la tecnología flash NAND es reducir el tamaño de las células, lo que permite que se puedan colocar más células en una sola capa.

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La última forma de aumentar la densidad de la memoria NAND es mejorar los bits totales por celda, que es la más utilizada por los fabricantes. Este método nos ha permitido obtener SLC, MLC, TLC, y el más reciente es el QLC NAND, que aumenta en uno el número de bits por celda en comparación con la tecnología anteriores.

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Esta tecnología más reciente, el Twin BiCS Flash, se encuentra todavía en la fase de investigación y desarrollo y está a muchos años de ser implementada. Aunque está previsto que los chips flash NAND de 128 capas de BiCS5 salgan al mercado en 2020, los fabricantes, SK Hynix y Samsung pudieron superar las 100 capas a principios de 2019, con los chips NAND de 128 capas 4D y V-NAND v6.