El CEO de Intel, Bob Swan, dijo que se espera que su proceso de 7 nm coincida con el proceso de 5 nm de TSMC. También señaló que se espera que el proceso de 5 nm de Intel también coincida con el proceso de 3 nm de TSMC.
El nodo de 7 nm de Intel llegará en 2021
Sin embargo, lo que Swan no mencionó es que Intel ya no está a la cabeza en términos de tecnología de procesos y que se espera que su proceso de 7 nm llegue alrededor de un año después, en 2021, en comparación con los 5nm de TSMC, que producirán chips de dispositivos para la segunda mitad de 2020.
Cuando Intel anunció el proceso Tri-gate (FinFET) de 22 nm, estaba más de una generación por delante en comparación con TSMC y otros competidores como AMD. Por un lado, estaba en un proceso de 22 nm más pequeño en comparación con otros que se estaban moviendo a nodos de proceso de 28nm/32nm. Y en segundo lugar, el cambio a FinFET por sí solo le otorgó su propio impulso generacional en rendimiento y eficiencia. El liderazgo de los procesos de Intel fue indiscutible durante años.
La única excepción fue en los chips móviles, donde su chip FinFET Atom de 22 nm apenas podía igualar los últimos chips de gama alta de 28 nm, y a un coste de chip más elevado. Es por eso que Intel eventualmente intentó licenciar el diseño de Atom a las compañías chinas de semiconductores sin fábrica para que construyeran sus propios chips «Atom» más baratos en el proceso de 28nm de TSMC. Una estrategia que no funciono en lo absoluto.
Intel entonces cambió a 14 nm. La compañía experimentó algunos retrasos con los chips de Broadwell, que fueron los primeros en utilizar el proceso de 14 nm. Intel también terminó sustituyendo rápidamente a la generación Broadwell por Skylake. Esto hizo aumentar la densidad de transistores en 2,4 veces.
Sin embargo, en lugar de tomar en serio esta lección, Intel intentó aumentar la densidad aún más agresivamente con el proceso de 10 nm, en 2,7 veces. Después de años y años de retrasos, la empresa admitió recientemente que el objetivo era demasiado ambicioso para la empresa.
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Esta es la razón por la que para su paso a EUV de 7 nm, Intel reducirá el aumento de densidad a 2,0 veces. El cambio a un proceso de litografía ultravioleta extrema (EUV) ya es bastante difícil. También es el primer intento de Intel de implementar EUV, siguiendo los pasos de Samsung y TSMC.
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