ChangXin Memory (CXMT), es ahora oficialmente el único fabricante chino de DRAM que está en producción en el mercado. La compañía ha completado su instalación de Fab 1 e I+D ubicada en Hefei, la capital de la provincia de Anhui, según ha informado EE Times esta semana.
La fábrica está produciendo 20.000 obleas al mes y podrá producir 40.000 obleas al mes en el segundo trimestre de 2020. Otros fabricantes chinos de DRAM han cerrado o están a años de distancia de la producción.
La instalación de CXMT comenzó a utilizar un proceso de 19 nm a principios de este otoño para fabricar productos LPDDR4, DDR4 8Gbit DRAM. CXMT construyó una infraestructura alrededor de sus instalaciones para albergar a 3.000 empleados, junto con sus familias.
No hace mucho tiempo, varias empresas chinas intentaron diseñar y construir sus propios chips DRAM para competir contra empresas como Samsung y Micron. Se hizo aún más imperativo que el gobierno chino ayudara a crear fabricantes competitivos de DRAMs una vez que comenzó la guerra comercial con Estados Unidos.
Fujian Jinhua Integrated Circuit Company (JHICC), otra compañía china de DRAM, fue básicamente liquidada por las sanciones estadounidenses después de que el gobierno de Estados Unidos la acusara de robar secretos comerciales a Micron. JHICC compartió algo de IP con United Microelectronics Corp. (UMC), a la que el Departamento de Justicia de los Estados Unidos también acusó de espionaje corporativo contra Micron.
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El único otro competidor chino aparte de CXMT es Tsinghua Unigroup, que se supone que terminará sus instalaciones de fabricación de DRAM en 2021. Sin embargo, TrendForce cree que incluso si sus productos DRAM terminan siendo competitivos, podrían pasar de 3 a 5 años antes de que Tsinghua pueda aumentar la producción a un volumen significativo.
[irp]Sin embargo, si el CXMT se convierte en un fuerte competidor en el mercado, eso podría ser suficiente para satisfacer la mayor parte de la demanda en China.
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