SK hynix ha anunciado que ha desarrollado una nueva memoria DDR4 de 1Znm 16Gb (Gigabits). 1Znm ofrecerá la mayor densidad y capacidad total de la industria por oblea disponible para los módulos DDR4 DRAM existentes.
La empresa afirma que la productividad de los nuevos módulos de memoria de 1Znm se ha mejorado en aproximadamente un 27% con respecto a la línea de 1Ynm de la generación anterior. Sin embargo, el proceso de fabricación no requiere una litología ultravioleta extrema (EUV) costosa, por lo que la producción de 1Znm será más rentable que nunca.
La memoria SK hynix 1Znm soporta velocidades de transferencia de datos de hasta 3200Mbps, que es la velocidad de procesamiento de datos más rápida de la interfaz DDR4. Los nuevos módulos de memoria de 1Znm han aumentado la eficiencia energética, reduciendo así con éxito el consumo de energía en alrededor de un 40% en comparación con los módulos de la misma densidad de la anterior DRAM de 8 Gb de 1YNnm.
En el proceso de fabricación se ha aplicado una nueva sustancia, no utilizada en la generación anterior, que maximiza la capacitancia del producto 1Znm. La capacitancia es la cantidad de carga eléctrica que puede almacenar un condensador, que es un elemento clave en el funcionamiento de la DRAM. También se ha introducido en el proceso un nuevo diseño para aumentar la estabilidad operativa.
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