GlobalFoundries (GF) anunció el martes la disponibilidad de una nueva adición a su plataforma 12 Leading Performance (12LP), llamada 12LP+. La compañía afirma que tendrá un aumento notable en el rendimiento y una disminución en la potencia y el área. También contiene una célula de bit SRAM de bajo voltaje.
GlobalFoundries anuncia las novedades de su nuevo proceso de 12LP+
GlobalFoundries (GF) promete gran parte de los beneficios de potencia y rendimiento de 7nm, pero al menor coste de la plataforma 12LP. También proporciona un aumento del 15% en la densidad de transistores con este nuevo nodo.
GF dijo que el proceso 12LP+ FinFET proporciona un aumento del 20% en el rendimiento o una disminución del 40% en la potencia sobre la plataforma base 12LP, (que a su vez proporciona una mejora del 10% sobre los nodos de 16/14nm y una mejora del 15% en la escala del área lógica). Esa es la misma cantidad de mejora que TSMC afirmó al comparar su proceso de 7nm con 16nm.
En una declaración, GF comparó su nuevo proceso con el de 7nm y también mencionó su menor coste: «Como tecnología avanzada de 12nm, nuestra solución 12LP+ ya ofrece a los clientes la mayoría de las ventajas de rendimiento y potencia que esperarían obtener de un proceso de 7nm, pero sus costes de NRE (ingeniería no recurrente) promediarán sólo la mitad, lo que supone un ahorro significativo».
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Otra característica nueva es una célula SRAM de 0,5V, que según GF es de alta velocidad y bajo consumo, y útil para el intercambio de datos entre la memoria y el procesador, como en las aplicaciones de inteligencia artificial (IA). Para aplicaciones de IA, GF proporciona un paquete de referencia de diseño y servicios de co-desarrollo de tecnología de diseño (DTCO). También hay un nuevo interponedor para el empaquetado 2.5D para facilitar la memoria de gran ancho de banda (HBM). Por último, la compañía también dijo que ARM ha desarrollado tanto la IP física Artisan como la IP POP para aplicaciones de IA, que también estarán disponibles para 12LP.
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