SK Hynix ha anunciado hoy que ha desarrollado una memoria HBM2E DRAM con el mayor ancho de banda de la industria. El nuevo HBM2E cuenta con un ancho de banda aproximadamente un 50% mayor y un 100% de capacidad adicional en comparación con el anterior HBM2.
El HBM2E de SK Hynix soporta más de 460 GB (Gigabytes) por segundo de ancho de banda basado en la velocidad de 3,6 Gbps (gigabits por segundo) por pin con 1.024 E/S de datos (Entradas/Salidas). Mediante la utilización de la tecnología TSV (Through Silicon Via), se apilan verticalmente un máximo de ocho chips de 16 gigabits, formando un paquete único y denso de 16 GB de capacidad de datos.
El HBM2E de SK Hynix es una solución de memoria óptima para la cuarta era industrial, compatible con la GPU de gama alta, superordenadores, el aprendizaje automático y los sistemas de inteligencia artificial que requieren el máximo nivel de rendimiento de memoria. A diferencia de los productos DRAM, que adoptan formas de paquetes de módulos y se montan en placas de sistema, el chip HBM está estrechamente interconectado con procesadores como las GPU y los chips lógicos, distanciados sólo unas pocas unidades de µm, lo que permite una transferencia de datos aún más rápida.
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«SK Hynix ha establecido su liderazgo tecnológico desde su primer lanzamiento mundial de HBM en 2013», dijo Jun-Hyun Chun, Director de Estrategia de Negocio de HBM. «SK Hynix comenzará la producción en serie en 2020, cuando se espera que se abra el mercado de HBM2E, y continuará reforzando su liderazgo en el mercado de las DRAMs de alta calidad».
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