Tsinghua Unigroup, de China, ha anunciado hoy su entrada en el mercado de las DRAM convirtiéndose en la tercera empresa china en hacerlo en los últimos años.
Tsinghua Unigroup anunció que formó una nueva unidad de negocio para la producción de DRAM en una declaración de una frase publicada el domingo. Según el analista Trendforce, aunque Tsinghua acaba de empezar a trabajar en su división DRAM, que describió como en «primeras etapas», no debería tener problemas para completar el desarrollo de la división. Tsinghua habló por primera vez sobre la construcción de una división DRAM en 2014, pero esos planes se suspendieron en favor del diseño de la tecnología flash NAND, señaló Trendforce.
La unidad de DRAM está financiada en su mayor parte con fondos del gobierno chino, al igual que los negocios de DRAM de otras dos empresas de aquel pais como Jinhua Integrated Circuit Company (JHICC) y Changxin Memory Technologies (CMT, anteriormente llamada Innotron Memory).
En noviembre, JHICC fue acusado por el gobierno de Estados Unidos de robar tecnología DRAM de Micron, un proveedor estadounidense de tecnologías de memoria. Poco después de la acusación, la CMT también cambió el diseño de sus tecnologías de memoria para evitar cualquier posible infracción de las patentes de las empresas estadounidenses.
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Los analistas de Trendforce creen que los planes de Tsinghua fueron revividos debido a que JHICC fue incluido en la Lista de Entidades de EE.UU. el año pasado, prohibiendo a las compañías de EE.UU. suministrarle tecnología. La prohibición casi obligó a JHICC a quebrar, y los analistas de Trendorce no creen que la división de memoria de la CMT sea suficiente para satisfacer la demanda local o las esperanzas del gobierno chino de independizarse de las empresas estadounidenses.
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