ATP anuncia nuevas memorias DDR3 con módulos de 8 Gbit

ATP Electronics, el fabricante líder de soluciones de memoria y almacenamiento, ha anunciado su compromiso para evitar la escasez de memorias DDR3 con nuevos módulos alta capacidad de 8 Gbit, que están especialmente diseñados para los clientes en redes industriales y embebidas que aún no pueden actualizarse a las plataformas de última generación de memorias DDR4.

ATP lucha frente a la escasez de memorias DDR3

A medida que el mercado de memorias DRAM migra hacia el DDR4, ATP está comprometida a prevenir una escasez de suministro de memoria DDR3 que podría afectar negativamente las operaciones comerciales de muchísimas empresas. Marco Mezger, Vicepresidente de Marketing Global de la ATP comento; «Para seguir satisfaciendo las necesidades de memoria DDR3 específica como RDIMMs VLP o SO-DIMMs de alta densidad ahora y en un futuro próximo, ATP ha decidido proporcionar sus propios componentes DDR3 de 8 Gbit para estos módulos».

Los módulos DDR3 de ATP están formados por circuitos integrados de alta calidad (ICs) meticulosamente testeados. Los componentes se fabrican de acuerdo con los exigentes estándares de ATP utilizando tecnología de proceso de fabricación de 2x nm y se prueban mediante un amplio programa de pruebas de componentes para mejorar el rendimiento del módulo de memoria.

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Los módulos ATP DDR3 están disponibles en monolítico de 8 Gb en un solo chip (1CS) o como DDP de selección de dos chips (2CS) para una variedad de módulos de memoria basados en esta tecnología. DIMMs, SO-DIMMs y Mini-DIMMs en paquete 1CS están disponibles en capacidades de 16 GB y 1600 MT/s de velocidad de transferencia. ATP ofrece 2CS DIMMs de 16 a 32 GB de capacidad y 1333 o 1600 MT/s, mientras que 2CS Mini-DIMMs están disponibles en 8 GB de capacidad y 1600 MT/s. Las opciones de ECC y no ECC también están disponibles en varios formatos.